一种含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法，涉及集成电路技术领域，该方法包括以下步骤：基于OTP单元的导通规则，控制存储单元的读写状态，并构建存储电路；根据存储电路，确定存储管结构，所述存储管结构包括上电极、阻变层及下电极；基于存储管结构，计算导电电流，并制备存储器件。本发明专利技术利用存储单元改写数据时需超过阈值电压的特性，通过对OTP单元导通状态的设定控制存储单元的写入/不可写入状态，实现对存储器件中对数据进行多次读写/只读功能的设定，制备工艺简单，制作成本低，数据读取/写入速度快，解决了传统OTP存储器件只能被改写一次，无法二次改写的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，具体来说，涉及一种含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法。

技术介绍

1、随着信息技术的快速发展，存储器作为计算机系统的核心组件之一，其性能和功能不断提升。在众多存储器类型中，非易失性存储器(nvm)因其能长时间保存信息的特性，被广泛应用于各种无源设备的存储单元和重要数据的安全存储。近年来，忆阻器作为一种具有记忆功能的非线性电阻引起了广泛关注，忆阻器是一种无源电路元件，其电阻值取决于施加电压的大小、极性和时间，且这种改变是可逆的；基于忆阻器原理发展而来的阻变存储器(rram)在存储密度、功耗、读写速度、可擦写次数以及数据保存时间等重要性能指标上均表现出色，被认为是极具潜力的下一代通用存储器。

2、在非易失性存储器家族中，一次性可编程(otp)存储器因其简单的制备工艺和良好的稳定性而受到广泛关注。otp存储器允许用户将程序或数据永久性地烧入存储器中，一旦写入就无法更改或清除，这种特性使得otp存储器特别适合于存储不需要频繁更改的信息，如软件版本号、硬件版本号、加密密钥等；因此，otp存储器在各种无源芯片和无源标签中得本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法，所述存储器件包括OTP单元与存储单元，其特征在于，该含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法，其特征在于，所述OTP单元包括导通状态与不导通状态，且OTP单元处于导通状态时自身电阻小于处于不导通状态时自身电阻。

3.根据权利要求1所述的一种含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法，其特征在于，所述存储单元设定有阈值电压，若存储单元两侧电压低于阈值电压，则存储单元仅可进行数据读取操作，若存储单元两侧电压高于阈值电压时，...

【技术特征摘要】

1.一种含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法，所述存储器件包括otp单元与存储单元，其特征在于，该含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法，其特征在于，所述otp单元包括导通状态与不导通状态，且otp单元处于导通状态时自身电阻小于处于不导通状态时自身电阻。

3.根据权利要求1所述的一种含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法，其特征在于，所述存储单元设定有阈值电压，若存储单元两侧电压低于阈值电压，则存储单元仅可进行数据读取操作，若存储单元两侧电压高于阈值电压时，则存储单元可进行数据读取操作与数据写入操作；

4.根据权利要求1所述的一种含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法，其特征在于，所述otp单元的导通规则包括写入规则与读取规则，所述基于otp单元的导通规则，控制存储单元的读写状态，并构建存储电路包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种含有otp结构的可读可写的存储器件的制备方法，其特征在于，所述otp单元一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：程晨，王彬，程银，孔维新，周康，
申请(专利权)人：徐州稻源龙芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：