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本发明公开了一种含有OTP结构的可读可写的存储器件的制备方法，涉及集成电路技术领域，该方法包括以下步骤：基于OTP单元的导通规则，控制存储单元的读写状态，并构建存储电路；根据存储电路，确定存储管结构，所述存储管结构包括上电极、阻变层及下电极...
该专利属于徐州稻源龙芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州稻源龙芯电子科技有限公司授权不得商用。

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