【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构件。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝向小型化发展，动态随机存储器(dynamic random accessmemory，简称为dram)的设计也逐渐朝高集成度的方向发展。相关技术中，半导体存储器件的衬底通常包括存储区和外围电路区，其中，存储区和外围区均设有位线(bit line，简称bl)，位线用于与存储区内的晶体管的源极或者漏极连接，以通过位线对数据信息进行存储或者输出。
2、但是，位于外围区的位线易发生倾斜或者弯曲，甚至导致相邻的位线相互连接发生短路，降低了半导体存储器件的良率。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构，能够防止甚至避免位线结构发生倾斜，提高了半导体结构的良率。
2、为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
3、本申请实施例提供一种半导体结构，其包括：
4、衬底，包括由浅沟槽隔离结构定义的有源区；
5、多个字线结构，位于所述衬底中...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分的宽度小于所述第三部分的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述宽度是最大宽度，或者，所述宽度是平均宽度。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，在第二方向上，所述第三部分的至少一侧凸出于所述位线结构的所述第二部分。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在第二方向上，所述第三部分的两侧均凸出于所述第二部分。
6.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分的宽度小于所述第三部分的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述宽度是最大宽度，或者，所述宽度是平均宽度。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，在第二方向上，所述第三部分的至少一侧凸出于所述位线结构的所述第二部分。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在第二方向上，所述第三部分的两侧均凸出于所述第二部分。
6.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述第三部分的顶面低于所述第二部分的顶面；或者，所述第三部分的顶面与所述第二部分的顶面平齐。
7.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第三部分在所述衬底上投影形状包括多边形、圆形或者椭圆形。
8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，许艺蓉，张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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