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本申请实施例提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括衬底，包括由浅沟槽隔离结构定义的有源区；多个字线结构，位于衬底中，字线结构跨过有源区并在第二方向上延伸；多个位线结构，位于衬底上，并且在与第二方向相交的第一方向上延伸，每个...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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