【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于处理半导体衬底的方法和组件。更具体地，本公开涉及用于在半导体衬底上选择性地沉积含硅材料的方法和组件。
技术介绍
1、氧化硅在半导体器件中用于各种目的。不断减小的器件尺寸要求不断改进对生长速率和拓扑选择性的控制，以允许制造这种器件。诸如原子层沉积和循环化学气相沉积的循环沉积方法可以为工业面临的许多挑战提供解决方案。具体而言，等离子体增强方法可能是合适的，因为它们允许使用低温，因此与复杂器件的低热预算兼容。
2、尽管在本领域中已经开发了各种等离子体增强方法，但专利技术人已经认识到对在衬底上沉积含硅材料的更加通用和可调的方法的持续需求。
3、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被认为是承认任何信息在专利技术时是已知的或者构成现有技术。
技术实现思路
1、本
技术实现思路
可以简化的形式介绍一些概念，这将在下面进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在必要地标识所要求保护的主题的关键特征或必...
【技术保护点】
1.一种在间隙中沉积包含硅的材料的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在反应室中提供衬底，并且在反应室中将衬底暴露于所述第一等离子体和所述第二等离子体。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述改性区域的钝化包括形成含氮末端。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一等离子体由选自N、He、Ne、Ar、Kr和Xe的气体产生。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二等离子体包含氮。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二等离子体由包括N2、NH3和N2...
【技术特征摘要】
1.一种在间隙中沉积包含硅的材料的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在反应室中提供衬底，并且在反应室中将衬底暴露于所述第一等离子体和所述第二等离子体。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述改性区域的钝化包括形成含氮末端。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一等离子体由选自n、he、ne、ar、kr和xe的气体产生。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二等离子体包含氮。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二等离子体由包括n2、nh3和n2h4中的至少一种的气体产生。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二等离子体由包括he、ne、ar、kr和xe中的至少一种的气体产生。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一等离子体的离子能量为至少约15ev。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二等离子体的离子能量为至多5ev。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隙内表面包括氧化物表面。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括氮化硅表面。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述硅前体是包含1至4个硅原子的含氮硅烷。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述硅前体由式sia(nr2)bxc表示，其中，a是1、2、3或4，b+c＝2a+2，b为至少1，每个r独立地选自h、甲基、乙基、异丙基、叔丁基和苯基，每个x独立地选自h、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、f、cl、br和i。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述硅前体选自sih3[n(ch3)2],sih3[n(ch2ch3)2],sih3[n(ch3)(ch2ch3)],sih3[n(c(ch3)3)2],sih3[n(ch(ch3)2)2],sih2[n(ch3)2]2,sih2[n(ch2ch3)2]2,sih2[n(ch3)(ch2ch3)]2,sih2[n(c(ch3)3)2]2,sih2[n(ch(ch3)2)2]2,sih(ch3)[n(ch3)2]2,sih(ch3)[n(ch2ch3)2]2,sih(ch3...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·博鲁德，B·穆克吉，R·H·J·沃乌尔特，V·波雷，堤隆嘉，小林伸好，堀胜，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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