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本公开涉及在间隙中沉积包含硅的材料的方法。该方法包括提供衬底，该衬底包括间隙，其中间隙包括内表面，并且将衬底暴露于具有高离子能量的第一等离子体，以改性间隙内表面的预定区域。该方法还包括将衬底暴露于具有低离子能量的第二等离子体，以钝化间隙表面...
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