提供了一种裸片嵌入式封装体。裸片嵌入式封装体可以包括：第一裸片和第二裸片，第一裸片比第二裸片薄；包封第一裸片的第一包封材料，其中，第一包封材料和第一裸片的总厚度近似等于第二裸片的厚度，并且其中，第一包封材料的外表面和第二裸片的外表面共面布置；包封被包封的第一裸片和第二裸片的第二包封材料；从第一裸片的第一侧电接触第一裸片的第一组导电过孔和从第一裸片的第二侧电接触第一裸片的第二组导电过孔，第二侧与第一侧相反；以及从第二裸片的第一侧或从第二裸片的第二侧电接触第二裸片的第三组导电过孔。
【技术实现步骤摘要】
各种实施例总体上涉及一种裸片嵌入式封装体和一种形成裸片嵌入式封装体的方法。
技术介绍
1、由于需要越来越薄的裸片(例如从目前使用的厚度为60μm的裸片到厚度为40μm的裸片)，对裸片的操纵变得越来越关键。尤其是当利用裸片嵌入技术将裸片嵌入pcb层合板内部时，所述嵌入可能是由pcb制造商来完成的，该pcb制造商在操纵薄裸片方面可能只有有限的经验，在裸片操纵和嵌入期间出现损坏(例如，破裂、碎裂等)的风险可能会很高。
2、超薄芯片、例如sfet裸片可能会引起的另一个裸片嵌入式封装(也称为芯片嵌入式(ce)封装)关键主题如下：尽管薄化工艺已经可以用于mosfet裸片(例如sfet裸片)，但是将驱动器裸片薄化到相同的厚度(例如，40μm)的工艺可能尚不可用。不同的裸片厚度可能会使得超薄裸片(例如，sfet)的前侧和背侧上的微过孔可以具有不同深度。这可能会使设计规则、激光钻孔和电镀工艺(例如，过孔的填充)更加复杂。此外，由于过孔近似锥形，过孔深度的增加最终可能会使裸片焊盘上的有效接触面积减小。这可能意味着在裸片的两侧上形成不相等的接触面积。
3本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种裸片嵌入式封装体，包括：
2.根据权利要求1所述的裸片嵌入式封装体，
3.根据权利要求1或2所述的裸片嵌入式封装体，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
5.根据权利要求4所述的裸片嵌入式封装体，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
7.根据权利要求6所述的裸片嵌入式封装体，
8.根据权利要求4或5所述的裸片嵌入式封装体，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的裸片嵌入式封装体，其中，所述裸片嵌入式封装体进一步包括：
>10.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种裸片嵌入式封装体，包括：
2.根据权利要求1所述的裸片嵌入式封装体，
3.根据权利要求1或2所述的裸片嵌入式封装体，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
5.根据权利要求4所述的裸片嵌入式封装体，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
7.根据权利要求6所述的裸片嵌入式封装体，
8.根据权利要求4或5所述的裸片嵌入式封装体，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的裸片嵌入式封装体，其中，所述裸片嵌入式封装体进一步包括：
10.根据权利要求9所述的裸片嵌入式封装体，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
12.根据权利要求1至11中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
13.根据权利要求1至12中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
14.根据权利要求1至11中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
15.根据权利要求14所述的裸片嵌入式封装体，
16.根据权利要求1至15中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
17.根据权利要求4或5所述的裸片嵌入式封装体，
18.根据权利要求1至17中任一项所述的裸片嵌入式封装体，
19.根据权利要求1至15中任一项所述的裸片嵌入式封装体，其中，所述裸片嵌入式封装体进一步包括：
20.根据权利要求19所述的裸片嵌入式封装体，
21.根据权利要求19所述的裸片嵌入式封装体，
22.根据权利要求1至21中任一项所述的裸片嵌入式封装体，其中，所述第一裸片是功率半导体裸片。
23.根据权利要求1至22中任一项所述的裸片嵌入式封装体，其中，所述第二裸片是控...
【专利技术属性】
技术研发人员：MU·哈桑，A·凯斯勒，M·A·纳瓦尔，T·波尔斯特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。