电子装置和制造电子装置的方法制造方法及图纸

技术编号:43989666 阅读:13 留言:0更新日期:2025-01-10 20:11
电子装置和制造电子装置的方法。在一个实例中,一种电子装置可包含:第一衬底;电子组件,其安置在所述第一衬底的一侧上方;及垂直互连件,其耦合到所述第一衬底的所述侧。所述垂直互连件可包含:第一金属芯球,其接近所述第一衬底;第二金属芯球,其安置在所述第一金属芯球上方且远离所述第一衬底;及可熔材料,其将所述第一金属芯球与所述第二金属芯球耦合。所述可熔材料可耦合到所述第一衬底。第二衬底可安置在所述电子组件和所述垂直互连件上方。所述垂直互连件的所述可熔材料可耦合到所述第二衬底。本文中还公开其它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及电子装置,且更尤其涉及电子装置和制造电子装置的方法


技术介绍

1、先前的电子封装和形成电子封装的方法是不适当的,例如导致成本过量、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开且参考图式,常规和传统方法的其它限制和缺点对于所属领域的技术人员来说将变得显而易见。


技术实现思路

1、本专利技术的一态样为一种电子装置,包含:第一衬底;电子组件,其安置在所述第一衬底的一侧上方;垂直互连件,其耦合到所述第一衬底的所述侧,所述垂直互连件包含:第一金属芯球,其接近所述第一衬底;第二金属芯球,其安置在所述第一金属芯球上方且远离所述第一衬底;及可熔材料,其将所述第一金属芯球与所述第二金属芯球耦合,其中所述可熔材料耦合到所述第一衬底;及第二衬底,其安置在所述电子组件和所述垂直互连件上方,其中所述垂直互连件的所述可熔材料耦合到所述第二衬底。

2、在根据根据本专利技术的态样所述的电子装置中,所述第一金属芯球的直径大于所述第二金属芯球的直径。

3、在根据根据本专利技术的态样所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一金属芯球的直径大于所述第二金属芯球的直径。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述垂直互连件的侧壁在包围所述第一金属芯球与所述第二金属芯球之间的点的区域中包含基本上凸形的几何形状。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,从所述第一衬底的所述侧测量的所述电子组件的高度大于所述第一金属芯球的直径。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一衬底包含:

6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,所述可熔材料从...

【技术特征摘要】

1.一种电子装置,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一金属芯球的直径大于所述第二金属芯球的直径。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述垂直互连件的侧壁在包围所述第一金属芯球与所述第二金属芯球之间的点的区域中包含基本上凸形的几何形状。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,从所述第一衬底的所述侧测量的所述电子组件的高度大于所述第一金属芯球的直径。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一衬底包含:

6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,所述可熔材料从所述开口延伸到所述介电结构的邻近所述开口的一部分上。

7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一金属芯球接触所述第二金属芯球。

8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,进一步包含耦合到所述第一衬底且安置成横向于所述电子组件的第二垂直互连件,其中所述第二垂直互连件包含接近所述第一衬底的第三金属芯球和远离所述第一衬底的第四金属芯球。

9.一种电子装置,其特征在于,包含:

10.根据权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述可熔材料的侧壁在包围所述第一金属芯球与所述第二金属芯球之间的点的区域中包含基本上凸形的几何形状。

11.根据权利要求9所述的电子装置,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:林基泰崔旭李秀碧
申请(专利权)人:安靠科技新加坡控股私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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