【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及具有扩展的衬底处理能力的衬底处理系统。该技术的一些更具体的方面涉及衬底处理系统，其包括由附加的外侧装载锁定模块互连的内侧衬底搬运室和外侧衬底搬运室。这种布置和这些附加部件增加系统中衬底处理室的数量和衬底处理能力。
技术介绍
1、在半导体器件的制造过程中，例如在集成电路和电子器件的制造过程中，材料层通常被沉积到衬底上。材料层沉积通常通过在衬底处理室装置内支撑衬底、将衬底加热到期望的沉积温度以及使一种或多种材料层前体流过室装置并穿过衬底来完成。随着前体流过衬底，材料层逐渐形成在衬底表面上，通常根据衬底的温度和室装置内的环境条件。
2、现有的衬底处理系统100包括图1总体所示类型的“簇型”系统。这种衬底处理系统100包括衬底搬运室102，其通过闸阀106可操作地与两到四个衬底处理室104连接。每个衬底处理室104被装备成在衬底支撑件108上接收衬底，衬底支撑件108在处理期间(例如在如上所述的材料层沉积期间)保持衬底。
3、衬底搬运室102包括机械臂110，用于通过闸阀106将衬底移入和移出各种衬底处理室...
【技术保护点】
1.一种半导体处理系统，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第十一面相对于所述第十面以倾斜角延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第二面、第三面、第八面、第九面、第十面和第十一面中的每个与闸阀连接，闸阀配置为与相应的衬底处理模块连接。
4.根据权利要求1所述的半导体处理系统，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体处理系统，其中，所述第一衬底处理室、第二衬底处理室、第三衬底处理室、第四衬底处理室、第五衬底处理室和第六衬底处理室中的每个包括至少四个衬底支撑件。
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种半导体处理系统，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第十一面相对于所述第十面以倾斜角延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第二面、第三面、第八面、第九面、第十面和第十一面中的每个与闸阀连接，闸阀配置为与相应的衬底处理模块连接。
4.根据权利要求1所述的半导体处理系统，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体处理系统，其中，所述第一衬底处理室、第二衬底处理室、第三衬底处理室、第四衬底处理室、第五衬底处理室和第六衬底处理室中的每个包括至少四个衬底支撑件。
6.根据权利要求4所述的半导体处理系统，其中，所述第一衬底处理室、第二衬底处理室、第三衬底处理室、第四衬底处理室、第五衬底处理室和第六衬底处理室中的每个包括至少两个衬底支撑件。
7.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第四面具有比所述第一面、第二面、第三面和第六面中的每个的边到边尺寸短的边到边尺寸，并且其中，所述第五面具有比所述第一面、第二面、第三面和第六面中的每个的边到边尺寸短的边到边尺寸。
8.根据权利要求7所述的半导体处理系统，其中，所述第四面的边到边尺寸和所述第五面的边到边尺寸基本相等，并且其中，所述第一面、第二面、第三面和第六面的边到边尺寸基本相等。
9.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第六面的边到边尺寸基本等于所述第七面的边到边尺寸。
10.根据权利要求9所述的半导体处理系统，其中，所述第八面、第九面、第十面和第十一面中的每个的边到边尺寸...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·西瓦拉曼，S·巴纳，S·阿拉苏苏巴斯钱德拉博斯，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。