半导体封装件制造技术

一种半导体封装件包括：衬底；衬底上的第一半导体芯片；第一半导体芯片上的散热结构；第一半导体芯片与散热结构之间的粘合剂层；散热结构上的第二半导体芯片；在衬底上并且覆盖第一半导体芯片的至少一部分、散热结构的至少一部分和第二半导体芯片的至少一部分的模制膜；以及模制膜的上表面和侧壁上的屏蔽层，其中，屏蔽层包括延伸至第一孔中并且接触第一半导体芯片的上表面的第一部分，第一孔可穿透模制膜、散热结构和粘合剂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种半导体封装件，并且更具体地，涉及一种包括散热结构和屏蔽层的半导体封装件。

技术介绍

1、半导体封装件可以是集成电路芯片按照适于电气装置的形式的实现方式。通常，在半导体封装件中，半导体芯片安装在印刷电路板(pcb)上，并且接合线或凸块用于pcb与半导体芯片之间的电连接。根据半导体封装件的高速率和大容量，半导体封装件的功耗增大。因此，提高了热特性的重要性和半导体封装件的可靠性。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供了一种具有改进的散热特性的半导体封装件。

2、本专利技术构思提供了一种具有改进的电特性和可靠性的半导体封装件。

3、本专利技术构思涉及一种半导体封装件。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体封装件，包括：衬底；第一半导体芯片，其在衬底上；散热结构，其在第一半导体芯片上；粘合剂层，其在第一半导体芯片与散热结构之间；第二半导体芯片，其在散热结构上；模制膜，其在衬底上并且覆盖第一半导体芯片的至少一部分、散热结构的至少一部分和第二半导体芯片的至少一部分；以及屏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏蔽层的热导率大于所述粘合剂层的热导率。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏蔽层的所述第一部分接触所述散热结构的内侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在所述第一孔中并且在所述屏蔽层的所述第一部分上设置第一空气路径，并且所述第一空气路径连接至外部空间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括在所述第二半导体芯片的上表面上并且电连接至所述第二半导体芯片和所述衬底的接合线，

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏蔽层的热导率大于所述粘合剂层的热导率。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏蔽层的所述第一部分接触所述散热结构的内侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在所述第一孔中并且在所述屏蔽层的所述第一部分上设置第一空气路径，并且所述第一空气路径连接至外部空间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括在所述第二半导体芯片的上表面上并且电连接至所述第二半导体芯片和所述衬底的接合线，

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述屏蔽层还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二金属层的热导率高于所述第一金属层的热导率和所述第三金属层的热导率，并且

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热结构包括：

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热结构的第一外侧壁与所述衬底的第一侧表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镕官，廉根大，黄昡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：