【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器，具体而言，涉及一种存储器操作方法、存储器及存储系统。
技术介绍
1、闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括nor闪存存储器和nand闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。对于nand闪存存储器，可以在块级执行擦除操作，可以在页级执行编程操作，并且可以在页级执行读取操作。
2、在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、根据本公开的一方面，提供一种存储器操作方法，所述存储器包括多个存储块，所述存储块包括底部选择管，所述底部选择管耦合至底部选择线，所述多个...
【技术保护点】
1.一种存储器操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储块，所述存储块包括底部选择管，所述底部选择管耦合至底部选择线，所述多个存储块包括第一存储块和第二存储块，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述第一擦除操作，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第二存储块的底部选择线设置为浮置状态，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述擦除工作电压与所述...
【技术特征摘要】
1.一种存储器操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储块，所述存储块包括底部选择管，所述底部选择管耦合至底部选择线，所述多个存储块包括第一存储块和第二存储块，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述第一擦除操作，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第二存储块的底部选择线设置为浮置状态，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述擦除工作电压与所述偏置电压之和小于预设电压阈值。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述第一擦除操作，还包括：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二存储块包括第三存储块，所述第三存储块与所述第一存储块相邻。
9.根据权利要求3、5和7中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏置电压的范围为1v～7v。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器包括多个平面，所述多个平面包括第一平面，所述第一平面为从所述多个平面中选定的平面，所述多个存储块在所述第一平面上。
12.一种存储器，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述外围电路包括控制电路、电压生成器、底部选择线驱动器和源极线驱动器，其中：
14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述电压生成器，还用于生成擦除控制电压，所述擦除工作电压大于所述擦除控制电压；
15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：向莉，黄蔚，祝婷，王帅，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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