半导体结构、存储器及其制备方法技术

本公开涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法，包括有源柱、两个沟道层、两个栅极及两个绝缘层，两个沟道层分别位于有源柱的沿第一方向相对的两表面，沟道层包括沿第一方向背离有源柱的第一表面及沿第二方向相对的第二表面及第三表面，第一方向与第二方向相交；两个栅极分别覆盖一沟道层的第一表面、第二表面及第三表面；两个绝缘层分别位于有源柱的沿第二方向相对的表面，且位于两个栅极之间，至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中晶体管沟道的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路设计及制造，特别是涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路制造工艺的不断发展，市场对半导体存储产品的存储能力及存储性能提出了更高的要求。二维存储器阵列在微缩方面对工艺和制造设备的挑战很大，在垂直方向堆叠多层二维存储单元阵列成为重要技术发展方向之一，以实现高密度存储。

2、然而，立体堆叠型存储器中存储单元的体积与间距不断减小，导致存储单元的制备复杂度不断提高，且性能及可靠性亟待提升。

技术实现思路

1、基于此，本公开提供一种半导体结构、存储器及其制备方法，至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中晶体管沟道的宽度，降低制备工艺复杂度的同时提高制备产品的性能及可靠性。

2、根据本公开的各种实施例，一方面提供一种半导体结构，包括有源柱、两个沟道层、两个栅极及两个绝缘层，两个沟道层分别位于有源柱的沿第一方向相对的两表面，沟道层包括沿第一方向背离有源柱的第一表面及沿第二方向相对的第二表面及第三表面，第一方向与第二方向相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层与所述有源柱的掺杂类型相同；所述沟道层的掺杂浓度为1E17cm-3-1E18cm-3；及/或

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述栅极的沿第三方向相对两侧的位线、电容；所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向均相交；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱被所述电容覆盖的部分包括沿所述第一方向相对的第一表面、第四表面，及沿所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层与所述有源柱的掺杂类型相同；所述沟道层的掺杂浓度为1e17cm-3-1e18cm-3；及/或

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述栅极的沿第三方向相对两侧的位线、电容；所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向均相交；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱被所述电容覆盖的部分包括沿所述第一方向相对的第一表面、第四表面，及沿所述第二方向相对的第二表面与第三表面；所述半导体结构还包括：

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱被所述沟道层覆盖部分的沿所述第一方向的长度小于所述有源柱被所述电容覆盖部分的沿所述第一方向的长度。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容包括：

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：