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本公开涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法，包括有源柱、两个沟道层、两个栅极及两个绝缘层，两个沟道层分别位于有源柱的沿第一方向相对的两表面，沟道层包括沿第一方向背离有源柱的第一表面及沿第二方向相对的第二表面及第三表面，第一方向与第二方向相...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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