一种Micro-LED微显示阵列及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro‑LED微显示阵列及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：第一应力释放组层，第一应力释放组层包括依次层叠的第一Ti层（厚度为A<subgt;1</subgt;）、第一Pt层（厚度为B<subgt;1</subgt;）和第一Au层（厚度为C<subgt;1</subgt;）；第二应力释放组层，第二应力释放组层包括依次层叠的第二Ti层（厚度为A<subgt;2</subgt;）、第二Pt层（厚度为B<subgt;2</subgt;）和第二Au层（厚度为C<subgt;2</subgt;），0.3A<subgt;1</subgt;≤A<subgt;2</subgt;≤0.5A<subgt;1</subgt;，2B<subgt;1</subgt;≤B<subgt;2</subgt;≤3B<subgt;1</subgt;，2C<subgt;1</subgt;≤C<subgt;2</subgt;≤3C<subgt;1</subgt;。本发明专利技术可以有效提高蓝宝石衬底GaN外延圆片和硅基CMOS驱动圆片在晶圆级键合过程中的内部应力调控效果，能够有效降低晶圆片碎裂的风险，从而保障了Micro‑LED微显示阵列的生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种micro-led微显示阵列及其制备方法。

技术介绍

1、目前，通过将gan外延圆片和cmos驱动圆片进行晶圆级键合、衬底转移和光刻加工等处理，可以制得micro-led微显示阵列；micro-led微显示阵列具备多项显著优势，包括超高亮度、卓越对比度、迅捷响应时间、低能耗及长久的使用寿命等等，凭借这些突出的优点，micro-led微显示阵列已被广泛应用于ar和vr的微型显示领域。

2、然而，gan外延圆片通常采用蓝宝石片作为衬底，cmos驱动圆片通常采用硅片作为衬底，蓝宝石片和硅片的热膨胀系数相差甚远；因此，在gan外延圆片和cmos驱动圆片的晶圆级键合过程中，温度的变化会导致晶圆片之间产生严重的内部应力，容易导致晶圆片碎裂，这严重影响了micro-led微显示阵列的生产良率。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种micro-led微显示阵列及其制备方法，可以有效提高蓝宝石衬底gan外延圆片和硅基cmos驱动圆片在晶圆级本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro-LED微显示阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的Micro-LED微显示阵列的制备方法，其特征在于，控制所述ITO层的厚度为5～25nm；

3.如权利要求1所述的Micro-LED微显示阵列的制备方法，其特征在于，所述第一键合层为第一AuSnAu叠层结构，所述第一AuSnAu叠层结构包括依次层叠的第一厚Au元素子层、第一Sn元素子层和第一薄Au元素子层，控制所述第一厚Au元素子层的厚度为50～100nm，控制所述第一Sn元素子层的厚度为50～100nm，控制所述第一薄Au元素子层的厚度为2～5nm；

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【技术特征摘要】

1.一种micro-led微显示阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的micro-led微显示阵列的制备方法，其特征在于，控制所述ito层的厚度为5～25nm；

3.如权利要求1所述的micro-led微显示阵列的制备方法，其特征在于，所述第一键合层为第一ausnau叠层结构，所述第一ausnau叠层结构包括依次层叠的第一厚au元素子层、第一sn元素子层和第一薄au元素子层，控制所述第一厚au元素子层的厚度为50～100nm，控制所述第一sn元素子层的厚度为50～100nm，控制所述第一薄au元素子层的厚度为2～5nm；

4.如权利要求1所述的micro-led微显示阵列的制备方法，其特征在于，在形成所述第一应力释放组层之前，还包括：

5.如权利要求1所述的micro-led微显示阵列的制备方法，其特征在于，所述热压共晶键合包括：

6.如权利要求1所述的micro-...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫，赵龙，董泽鑫，黄泽强，陈凯，于倩倩，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：