存储器件制造技术

本公开实施例提供一种存储器件。存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储单元和多个冗余存储单元；多个冗余存储单元被配置为修复多个存储单元当中的故障存储单元；故障地址存储电路，存储第一故障存储单元对应的至少一个第一故障地址；修复逻辑存储电路，包括多个第一存储结构和多个第二存储结构；多个第一存储结构存储有多个冗余存储单元对应的冗余地址，第二存储结构存储有第一故障地址；修复逻辑存储电路被配置为：接收第一操作模式命令，第一操作模式命令包括第二故障存储单元对应的至少一个第二故障地址；第二故障存储单元与第一故障存储单元不同；响应于第一操作模式命令，将第二故障地址写入至第二存储结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器件。

技术介绍

1、随着高性能计算、大数据分析和内存数据库等业务的发展，对内存容量和带宽的需求越来越高。

2、在内存容量密度、带宽性能需求的持续驱动下，内存的制造工艺不断微缩、接口速率不断提升，但与此同时，随着制程升级，内存发生错误的概率和内存失效率逐步攀升，内存可靠性面临巨大风险。为了对内存中发生的故障进行修复，提出封装后修复(postpackage repair，ppr)的内存修复方式，使用内存中的冗余地址对内存中的故障地址进行资源替换，从而实现计算机设备对数据的正常读写。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器件。

2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例提供一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元和多个冗余存储单元；所述多个冗余存储单元被配置为修复所述多个存储单元当中的故障存储单元；故障地址存储电路，被配置为存储第一故障存储单元对应的至少一个第一故障地址；修复逻辑存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一存储结构具有对应的第一存储地址，所述第二存储结构具有对应的第二存储地址；所述第一操作模式命令还包括与所述第二故障地址对应的第三存储地址，每一个所述第三存储地址均与一个所述第二存储地址相同；

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，至少一个所述第三存储地址与存储有所述第一故障地址的第二存储结构相对应；

4.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，至少一个所述第三存储地址与未存储所述第一故障地址的第二存储结构相对应；

5.根据权利要求1所述的存储...

【技术特征摘要】

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一存储结构具有对应的第一存储地址，所述第二存储结构具有对应的第二存储地址；所述第一操作模式命令还包括与所述第二故障地址对应的第三存储地址，每一个所述第三存储地址均与一个所述第二存储地址相同；

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，至少一个所述第三存储地址与存储有所述第一故障地址的第二存储结构相对应；

4.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，至少一个所述第三存储地址与未存储所述第一故障地址的第二存储结构相对应；

5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，修复逻辑存储电路被配置为：

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述修复逻辑存储电路还被配置为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：高原，孙晓军，李森，张曙泽，李建平，
申请(专利权)人：新存微科技北京有限责任公司，
类型：发明
国别省市：