【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及电子器件领域，尤其涉及一种存储系统的操作方法以及存储系统。
技术介绍
1、存储器是信息技术的基础，作为下一代的非易失半导体存储器的候选者，相变存储器(phase change random access memory，pcm)由于高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，得到广泛的关注，尤其是3d pcm。
2、3d pcm采用ots作为选通管实现双向选通。选通管ots由于材料的特殊属性，存在随时间的阈值偏移现象，而对存储单元进行操作时的读写偏压还将造成同一位线或字线上其它存储单元阈值电压的偏压偏移，将进一步影响3d-pcm的数据保持性性能。，同时，新型存储器的寿命存在一定限制，需要系统侧进行必要的磨损均衡，坏块管理等介质管理，而在当均衡磨损(wear-leveling,wl)的算法配置到系统中时，由于需要定期对一段连续逻辑地址的数据块进行搬移，阈值电压的偏压偏移问题会更加凸显。如何针对ots的阈值漂移特点，提升存储单元的数据保持性是一个重要的课题。
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【技术保护点】
1.一种存储系统的操作方法，其特征在于，所述操作方法包括：
2.如请求项1所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括将多个物理位置相邻的所述存储单元设定为存储块，而将所述多个存储单元划分为矩阵排列的多个存储块，且所述物理地址包括对应于所述存储块的存储块地址，以及对应于所述存储块内的存储单元的块内存储地址。
3.如请求项2所述的操作方法，其特征在于，所述任两连续逻辑地址所对应的两个所述物理地址对应于不同的字线与位线的步骤包括根据下列运算式而达成：
4.如请求项2所述的操作方法，其特征在于，所述将所述多个逻辑地址依序分别映射到用于存...
【技术特征摘要】
1.一种存储系统的操作方法，其特征在于，所述操作方法包括：
2.如请求项1所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括将多个物理位置相邻的所述存储单元设定为存储块，而将所述多个存储单元划分为矩阵排列的多个存储块，且所述物理地址包括对应于所述存储块的存储块地址，以及对应于所述存储块内的存储单元的块内存储地址。
3.如请求项2所述的操作方法，其特征在于，所述任两连续逻辑地址所对应的两个所述物理地址对应于不同的字线与位线的步骤包括根据下列运算式而达成：
4.如请求项2所述的操作方法，其特征在于，所述将所述多个逻辑地址依序分别映射到用于存储所述数据的多个存储单元所分别对应的多个物理地址的步骤包括：
5.如请求项4所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括将所述逻辑块地址设置于所述逻辑地址的相对的高位地址，将所述块内逻辑地址设置于所述逻辑地址的相对...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建平，孙晓军，李森，
申请(专利权)人：新存微科技北京有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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