存储装置及其操作方法制造方法及图纸

一种存储装置包括：非易失性存储器件，包括耦接到第一字线的多个第一存储单元和耦接到第二字线的多个第二存储单元，第一字线和第二字线彼此相邻；以及存储控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储控制器还被配置为：基于多个第一存储单元中的每一个的编程状态，对要被编程到多个第二存储单元中的数据进行编码，以及对要被编程到第二字线中的数据进行编码，使得要被写入到多个第二存储单元的第一部分中的该数据的第一部分满足第一条件，以及使得要被写入到多个第二存储单元的第二部分中的该数据的第二部分满足第二条件。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及存储器件，并且更具体地，涉及存储装置及其操作方法。

技术介绍

1、半导体存储器件可以分为易失性存储器件和非易失性存储器件。闪存器件可以是非易失性存储器件的代表性示例。在闪存器件在单个存储单元中存储多位数据的情况下，可能需要维持适当的阈值电压分布以保证数据可靠性。然而，随着存储器的集成度增加，存储单元的阈值电压分布可能由于相邻存储单元的字线干扰而改变。

技术实现思路

1、本公开的一个或多个示例实施例提供了存储装置及其操作方法，该存储装置可以考虑相邻字线的编程状态来对将在目标字线中编程的数据进行编码，以提高数据的可靠性。

2、根据本公开的一个方面，一种存储装置包括：非易失性存储器件，包括耦接到第一字线的多个第一存储单元和耦接到第二字线的多个第二存储单元，第一字线和第二字线彼此相邻；以及存储控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储控制器还被配置为：基于多个第一存储单元中的每一个的编程状态，对要被编程到多个第二存储单元中的数据进行编码，编程状态包括第一状态和第二状态；以及对要被编程到第二字本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一条件被配置为允许所述数据的所述第一部分具有除第一整形目标模式之外的第一编程模式，其中所述数据的所述第一部分被编程到与所述多个第一存储单元的处于所述第一状态的所述第一部分相邻的所述多个第二存储单元的所述第一部分中，以及

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述存储控制器还被配置为：

4.根据权利要求2所述的存储装置，其中，要被编程到所述多个第二存储单元中的所述数据包括多条逻辑页数据，以及

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述存储控制器被配置为：

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【技术特征摘要】

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一条件被配置为允许所述数据的所述第一部分具有除第一整形目标模式之外的第一编程模式，其中所述数据的所述第一部分被编程到与所述多个第一存储单元的处于所述第一状态的所述第一部分相邻的所述多个第二存储单元的所述第一部分中，以及

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述存储控制器还被配置为：

4.根据权利要求2所述的存储装置，其中，要被编程到所述多个第二存储单元中的所述数据包括多条逻辑页数据，以及

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述存储控制器被配置为：

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述整形位置信息包括需要满足所述第一条件的所述多个第二存储单元的第一位置信息以及需要满足所述第二条件的所述多个第二存储单元的第二位置信息。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述存储控制器还被配置为：

8.一种操作存储装置的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一条件被配置为允许所述数据的所述第一部分具有除第一整形目标模式之外的第一编程模式，其中所述数据的所述第一部分被编程到与所述多个第一存储单元的处于所述第一状态的第一部分相邻的所述多个第二存储单元的所述第一部分中，以及

10.根据权利要求9所述的方法，其中，对要被编程到所述多个第二存储单元中的所述数据进行编...

【专利技术属性】
技术研发人员：金玟昱，姜淳荣，鲁官宇，申东旻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：