用于具有多个层级的非易失性存储器的擦除方法技术

技术编号:43980056 阅读:15 留言:0更新日期:2025-01-10 20:05
一种非易失性存储器系统包括多个非易失性存储器单元,该多个非易失性存储器单元被分为三个或更多个层级。该存储器单元可被编程、擦除和读取。为了实现针对该三个或更多个层级的均匀擦除速度,擦除过程包括:将比施加到一个或多个内部层级中的非易失性存储器单元的控制栅极的电压偏置大的电压偏置施加到外部层级中的非易失性存储器单元的控制栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、本公开涉及非易失性存储装置。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备,诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如,电池)时,非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存存储器(例如,nand型和nor型闪存存储器)。

3、非易失性存储器的用户可将数据编程(即,写入)非易失性存储器并随后读回该数据。例如,数码相机可拍摄照片并将该照片存储在非易失性存储器中。随后,数码相机的用户可通过使该数码相机从非易失性存储器读取照片来查看该照片。因为用户经常依赖于他们存储的数据,所以对于非易失性存储器的用户来说重要的是能够可靠地存储数据以使得能够成功地读回该数据。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:

6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置,其中:

7.根据权利要求5所述的非易失性存储装置,其中:

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:

9.根据权利要求1所述的非易...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:

6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置,其中:

7.根据权利要求5所述的非易失性存储装置,其中:

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:

9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

10.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨翔东谷政昭A·普拉卡什赵登涛
申请(专利权)人:桑迪士克科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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