智能半导体开关中的漏电流的检测制造技术

本发明专利技术涉及智能半导体开关中的漏电流的检测。实施例涉及一种用于智能半导体开关的方法。该方法包括激活半导体开关，该半导体开关将提供供电电压的供电节点与连接到连接电负载的输出节点连接。由此，输出电压被施加到电负载上。该方法还包括执行漏电流测试。为此，半导体开关被去激活，以便将电负载与供电节点分离。此外，检查直到输出电压低于第一电压电平所经过的时间是否小于(时间)阈值。最后，半导体开关再次被激活。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及智能半导体开关领域。

技术介绍

1、不同类型的半导体开关是已知的。例如，金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(mosfet)用于各种应用中，例如以便代替机械开关或保险丝。一个或多个mosfet可以与相关的驱动电路以及控制逻辑、(电流和温度)传感器电路和另外的电路一起集成在半导体芯片中。在该情况下，人们经常提到智能半导体开关或智能开关。

2、智能半导体开关可以用于多种应用。在汽车领域中，这种半导体开关不仅可以用作电子保险丝(所谓的电熔丝)。在此，即使当连接的负载是非激活的时，开关也会在大部分时间被接通。在该情况下，流过半导体开关的负载电流可能是非常小的(例如在μa范围内)，相反，在负载激活的情况下，负载电流可能为几安培。

3、智能半导体开关可能具有明显的内部消耗。因此，对于一些应用，智能半导体开关被设计为，使得其可以在具有低的功率消耗的空闲模式(idle-modus)中运行。在该空闲模式中，半导体开关的大多数的内部电路(例如传感器和诊断功能、电荷泵等)是非激活的，而开关保持接通。当负载电流低于定义的阈值(并且在必要时满足本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，检查所述时间(t11-t10)是否小于所述阈值(TK)包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述阈值(TK)与耦联所述输出节点(OUT)的电容(CL)和/或最大允许漏电流相关。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述半导体开关(T1)借助控制电路(11)被激活和去激活，所述控制电路能够在正常模式和空闲模式中工作，其中，所述空闲模式假设，通过所述半导体开关(T1)流到所述输出节点(OUT)的负载电流(iL)小于电流阈值。

5.根据权利要求4所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，检查所述时间(t11-t10)是否小于所述阈值(tk)包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述阈值(tk)与耦联所述输出节点(out)的电容(cl)和/或最大允许漏电流相关。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述半导体开关(t1)借助控制电路(11)被激活和去激活，所述控制电路能够在正常模式和空闲模式中工作，其中，所述空闲模式假设，通过所述半导体开关(t1)流到所述输出节点(out)的负载电流(il)小于电流阈值。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述控制电路(11)在所述空闲模式中工作期间，执行所述漏电流测试。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，响应于接收诊断命令，开始漏电流测试。

7.根据权利要求6所述的方法，

8.根据权利要求6或7所述的方法，所述方法还包括：

9.一种智能半导体开关，具有：

10.一种智能半导体开关，具有：

11.根据权利要求9或10所述的智能半导体开关，所述智能半导体开关还具有：

12.根据权利要求9或10所述的智能半导体开关，所述智能半导体开关还具有：

13.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·德耶拉希切克，M·特里波尔特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：