用于放大器增益降低的反馈拓扑制造技术

公开了降低RF放大器、特别是LNA中的增益的反馈方法和设备。所描述的方法基于提供从LNA共源共栅晶体管之一的漏极端子到LNA输入晶体管的源极端子的反馈路径，或者从输入晶体管的栅极端子到LNA输入晶体管的源极端子的反馈路径。公开的方法可以相互组合或与现有的反馈方法组合，以在为具有不同要求的应用设计LNA时提供进一步的灵活性和改进的权衡。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开内容涉及用于放大器增益降低的方法和设备，更具体地涉及在射频(rf)放大器(例如低噪声放大器(lna)或功率放大器)中实现的反馈拓扑，以在设计具有这样的放大器的rf电路时提供更大的灵活性。如此提供的灵活性导致整体改进的性能权衡。

技术介绍

1、多级增益lna非常普遍地用于蜂窝射频前端(rffe)等应用。这样的lna通常需要在工作期间支持多种增益状态。这需要在满足除增益以外的如下几个性能要求的同时完成，例如噪声系数(nf)、输入回波损耗(s11)、输出回波损耗(s22)、反向隔离(s12)、输入三阶截点(iip3)、稳定性等。根据应用，对这样的参数中的每个参数施加的要求可能会显著不同。

2、通常，改变例如lna的rf放大器中的放大器增益可以通过多种方式来实现，例如衰减、降低(deqing)负载(降低负载的品质因数)、减少电流或偏置、以及反馈，每种方法都有自己的优点和缺点。

3、已知电阻反馈拓扑通过提供从放大器件的输出(例如，放大器中晶体管的漏极端子)到放大器件的输入(例如，输入晶体管的栅极端子)的可编程电阻路径来提供增益的降低。改本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频(RF)放大器，包括：

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其中，所述第一反馈路径还包括与所述第一可编程电阻器串联设置的第一直流(DC)阻断电容器。

3.根据权利要求2所述的RF放大器，包括被配置成选择性地接通和断开所述第一反馈路径的开关。

4.根据权利要求1所述的RF放大器，还包括第二反馈路径，所述第二反馈路径包括第二可编程电阻器，所述第二反馈路径将所述第一晶体管的栅极端子耦接至所述第一晶体管的所述源极端子。

5.根据权利要求4所述的RF放大器，还包括与所述第二可编程电阻器串联布置的第二DC阻断电容器。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种射频(rf)放大器，包括：

2.根据权利要求1所述的rf放大器，其中，所述第一反馈路径还包括与所述第一可编程电阻器串联设置的第一直流(dc)阻断电容器。

3.根据权利要求2所述的rf放大器，包括被配置成选择性地接通和断开所述第一反馈路径的开关。

4.根据权利要求1所述的rf放大器，还包括第二反馈路径，所述第二反馈路径包括第二可编程电阻器，所述第二反馈路径将所述第一晶体管的栅极端子耦接至所述第一晶体管的所述源极端子。

5.根据权利要求4所述的rf放大器，还包括与所述第二可编程电阻器串联布置的第二dc阻断电容器。

6.根据权利要求5所述的rf放大器，还包括被配置成选择性地接通和断开所述第二反馈路径的开关。

7.根据权利要求4所述的rf放大器，还包括第三反馈路径，所述第三反馈路径包括第三可编程电阻器，所述第三反馈路径将所述一个或更多个晶体管的漏极端子耦接至所述第一晶体管的所述栅极端子。

8.根据权利要求7所述的rf放大器，还包括与所述第三可编程电阻器串联布置的第三dc阻断电容器。

9.根据权利要求7所述的rf放大器，还包括第一附加晶体管和第二附加晶体管，其中：

10.根据权利要求7所述的rf放大器，还包括第二dc阻断电容器，所述第二dc阻断电容器将所述晶体管的所述漏极端子耦接至所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：帕尔韦兹·达鲁瓦拉，蒋荣，胡沙利·沙阿，
申请(专利权)人：派赛公司，
类型：发明
国别省市：