一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法技术

本发明专利技术涉及光电材料技术领域，本发明专利技术公开了一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，使用分子式为Ce(C<subgt;10</subgt;H<subgt;17</subgt;O<subgt;2</subgt;)<subgt;4</subgt;，分子量为816，挥发温度为150～320℃的铈前驱体材料。该铈前驱体材料不仅具有较低的挥发温度、稳定的挥发性能及较低的残留率，且具有较高的纯度。采用本发明专利技术的方法能降低气相沉积过程中工艺温度，且提高了杂前驱体材料的利用率，节约原料成本。本申请的方法能够应用于稀土掺杂激光光纤，高‑K栅介质材料及YBCO超导基材制备等领域，制备效果优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电材料，具体涉及一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法。

技术介绍

1、本节中的陈述仅提供与本申请公开相关的背景信息，并且可能不构成现有技术。

2、铈元素通常以氧化物薄膜或掺杂的形式存在于相关的材料及器件中，常用于制备氧化铈薄膜或实现铈元素掺杂方法是气相沉积法(cvd)或原子层沉积法(ald)。这些方法中需要使用铈源为挥发性的铈前驱体，前驱体的挥发性能及稳定性对制备氧化铈薄膜或铈元素掺杂的工艺有重要影响。

3、稀土掺杂激光光纤制备工艺中，采用气相掺杂法能实现高浓度稀土离子均匀的掺杂，且使得纤芯和内包层的折射率有很好的重复性。但由于镱离子存在多种价态(ⅱ，ⅲ)产生的色心，是引起稀土镱掺杂激光纤光暗化效应的主要原因之一，因而使光纤的输出功率及稳定性降低。为了抑制光暗化效应，在含镱光纤中共掺杂铈元素是一种有效方法。稀土螯合物有较低的升华温度，较高的饱和蒸汽压，容易实现高浓度的稀土元素掺杂，是稀土掺杂激光光纤气相掺杂制备技术中一种有前景的稀土掺杂源前驱体。公开的稀土螯合物气相掺杂技术中(improved photodark本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述加热升温的温度为150～320℃。

3.根据权利要求2所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述加热升温的温度为160～280℃。

4.根据权利要求1所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述铈前驱体材料纯度大于99.99％，优选的纯度在99.999％～99.99999％。

5.根据权利要求1所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述加热升温的温度为150～320℃。

3.根据权利要求2所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述加热升温的温度为160～280℃。

4.根据权利要求1所述的一种低温沉积制备氧化铈薄膜或掺杂铈的方法，其特征在于，所述铈前驱体材料纯度大于99.99％，优选的纯度在99.999％～99.99999％。

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦鹏冲，蔡华强，林傲祥，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院化工材料研究所，
类型：发明
国别省市：