本技术公开了一种薄膜沉积炉管及化学气相沉积设备，薄膜沉积炉管包括：炉体，炉体的内壁具有若干个离散的第一凹陷结构；保护涂层，设置在炉体的内壁上，在远离炉体的内壁的方向上，保护涂层形成有与若干个第一凹陷结构相对应的若干个第二凹陷结构。本技术实施例中，在炉体的内壁设置若干个第一凹陷结构和设置保护涂层都能提升薄膜沉积炉管的使用寿命，将两者相结合，对薄膜沉积炉管的使用寿命的提升效果更好。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化学气相沉积领域，尤其涉及一种薄膜沉积炉管及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺是外延薄膜生长、半导体制造、光伏制造的工艺之一。目前，主要采用lpcvd(low pressure chemical vapordeposition，低压化学气相沉积)设备来实现硅片上氧化硅、多晶硅、非晶硅等的沉积。
2、目前，lpcvd设备包括石英炉管，硅片在石英炉管内进行沉积。然而，在长时间使用过程中，石英炉管的内壁会沉积一层硅类薄膜，当炉管内壁沉积的硅类薄膜达到一定厚度时，会侵蚀石英炉管，从而导致石英炉管断裂，进而导致石英炉管的使用寿命较短。
技术实现思路
1、本技术提供一种薄膜沉积炉管及化学气相沉积设备，旨在至少解决现有技术中石英炉管的使用寿命较短的技术问题。
2、第一方面，本技术实施例提供了一种薄膜沉积炉管，包括：
3、炉体，所述炉体的内壁具有若干个离散的第一凹陷结构；
>4、保护涂层，设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜沉积炉管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述炉体的内壁的表面粗糙度Ra大于0.1微米。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述炉体的内壁的表面粗糙度Ra小于10微米-100微米。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述保护涂层的厚度小于所述炉体的内壁的表面粗糙度Ra；和/或，
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述炉体包括主体部和连接在所述主体部两端的炉口和炉尾，所述炉口的内壁和所述炉尾的内壁处的第一凹陷结构的密度大于所述主体部的内壁...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积炉管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述炉体的内壁的表面粗糙度ra大于0.1微米。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述炉体的内壁的表面粗糙度ra小于10微米-100微米。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述保护涂层的厚度小于所述炉体的内壁的表面粗糙度ra；和/或，
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积炉管，其特征在于，所述炉体包括主体部和连接在所述主体部两端的炉口和炉尾，所述炉口的内壁和所述炉尾的内壁处的第一凹陷结构的密度大于所述主体部的内壁处的第一凹陷结构的密度。
6.根据权利要求1所述的薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：张弢，朱广东，邱家梁，郭梦龙，童洪波，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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