【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器设备和该存储器设备的制造方法，并且更特别地，涉及包括具有三维结构的存储器块的存储器设备和该存储器设备的制造方法。
技术介绍
1、存储器设备可以包括非易失性存储器设备，在非易失性存储器设备中存储的数据即使在电源被中断时也保持原样。非易失性存储器设备可以根据在其中布置存储器单元的结构被分为二维结构和三维结构。具有二维结构的非易失性存储器设备的存储器单元可以布置在衬底上方的单个层中，并且具有三维结构的非易失性存储器设备的存储器单元可以在垂直方向上堆叠在衬底上方。由于具有三维结构的非易失性存储器设备的集成程度高于具有二维结构的非易失性存储器设备的集成程度，因此使用具有三维结构的非易失性存储器设备的电子设备最近已经越来越多地被使用。
技术实现思路
1、依照本公开的一个方面，提供了一种存储器设备，该存储器设备包括：堆叠结构，其包括沿第一方向交替堆叠的多个导电层和多个层间绝缘层，该堆叠结构包括单元区域和接触区域，接触区域从单元区域延伸并且具有台阶结构；在接触区域中分别与多个导电层接...
【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个下柱中的每个下柱分别位于穿透所述堆叠结构的多个开口中，并且
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述多个接触插塞中的每个接触插塞的至少一部分具有大于所述第二宽度的第三宽度。
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述衬垫层沿所述多个开口中的每个开口的内壁形成。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述柱结构包括：
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述柱结构通过所述衬垫层与所述堆叠结构间隔开。
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个下柱中的每个下柱分别位于穿透所述堆叠结构的多个开口中，并且
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述多个接触插塞中的每个接触插塞的至少一部分具有大于所述第二宽度的第三宽度。
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述衬垫层沿所述多个开口中的每个开口的内壁形成。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述柱结构包括：
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述柱结构通过所述衬垫层与所述堆叠结构间隔开。
7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述柱结构的顶表面与所述多个接触插塞当中的相应接触插塞的底表面接触。
8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个下柱中的每个下柱进一步包括覆盖所述柱结构的顶表面的覆盖图案，并且
9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个接触插塞当中的第一接触插塞：
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述第一接触插塞包括：
11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述第一接触插塞的所述延伸部与所述第一导电层的顶表面接触。
12.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述第一接触插塞的所述突出部与所述第一导电层的由开口暴露的...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔元根，郭鲁珪，张晶植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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