一种增强底填料结合的划切芯片制造技术

本技术涉及一种增强底填料结合的划切芯片，所述划切芯片包括，待切割晶圆，所述待切割晶圆的切割道两侧均开设有至少一条浅槽；所述浅槽设置于挡墙与切割道之间。本技术至少具备以下有益效果：本技术的芯片可以降低底填料应力，解决封装体翘曲或其他应力原因导致的底填料破裂或剥离问题，有效降低芯片制程中可能产生的缺陷风险，提升作业品质及产品良率，提升可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片封装，尤其涉及一种增强底填料结合的划切芯片及其应用。

技术介绍

1、目前，主流倒装芯片封装工艺包括划切、上片、底填、模压成型等工艺流程。其中划切工艺负责将整体晶圆分割为独立芯片chip，底填工艺将底填料注入芯片与基板之间，保护凸块及焊点，并充当缓冲层，分散应力以避免应力集中于凸块，降低凸块破坏的风险。现有的划切工艺为单划槽式切割，即采用划切刀片或雷射和刀片结合方式对切割道贯穿式切割以分离芯片。芯片底填之后，因基板自身或可靠性测试等原因，基板或有几率发生翘曲，产生边缘应力于底填料间，有造成底填料破裂或剥离的风险，如图1-图3所示，图1中显示出了底填料破裂处1，及底填料剥离处2。

技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种增强底填料结合的芯片及其划切工艺与应用。

2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：

3、一种增强底填料结合的划切芯片，包括，待切割晶圆，所述待切割晶圆的切割道两侧均开设有至少一条浅槽；所述浅槽设置于挡墙与切割道之间。

4、优选地，所述浅槽的槽深大于金属层厚度，槽宽为25-50μm。

5、优选地，所述浅槽的槽深为10-30μm。

6、优选地，所述浅槽与切割道之间距离不小于6μm。

7、优选地，所述浅槽为连续型或断续型。

8、优选地，以上任意一所述的一种增强底填料结合的划切芯片的划切工艺，通过镭射、刀片划切或两者结合的方式对待切割晶圆上的待切割道两侧开设浅槽。

<p>9、优选地，以上任意一所述的一种增强底填料结合的划切芯片的应用，将增强底填料结合的划切芯片应用于有底填材料封装的倒装焊接芯片或将其应用于具有基板翘曲导致底填料破裂风险的封装体中。

10、本技术至少具备以下有益效果：本技术的芯片可以降低底填料应力，解决封装体翘曲或其他应力原因导致的底填料破裂或剥离问题，有效降低芯片制程中可能产生的缺陷风险，提升作业品质及产品良率，提升可靠性。

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【技术保护点】

1.一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，包括，待切割晶圆，所述待切割晶圆的切割道两侧均开设有至少一条浅槽；所述浅槽设置于挡墙与切割道之间。

2.根据权利要求1所述的一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，所述浅槽的槽深大于芯片金属层厚度，槽宽为25-50μm。

3.根据权利要求1所述的一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，所述浅槽的槽深为10-30μm。

4.根据权利要求1所述的一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，所述浅槽与切割道之间距离不小于6μm。

5.根据权利要求1所述的一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，所述浅槽为连续型或断续型。

【技术特征摘要】

1.一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，包括，待切割晶圆，所述待切割晶圆的切割道两侧均开设有至少一条浅槽；所述浅槽设置于挡墙与切割道之间。

2.根据权利要求1所述的一种增强底填料结合的划切芯片，其特征在于，所述浅槽的槽深大于芯片金属层厚度，槽宽为25-50μm。

3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆安，
申请(专利权)人：矽品科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：