一种监测快速热退火设备稳定性的方法技术

本发明专利技术涉及一种监测快速热退火设备稳定性的方法，属于快速热退火设备监测技术领域。本发明专利技术的监测快速热退火设备稳定性的方法，包括以下步骤：S1.通过在不同参数条件下的模拟计算，得出温度的规律；S2.分别根据模拟计算的参数进行实际生产实验；S3.生产的结果与拟合结果对比，根据温度拐点及反应速率斜率判断机台温度状态；S4.根据拟合结果预测实际生产时不同参数的扩散结果确定机台稳定性。本发明专利技术的方法可监测RTP机台的稳定性，预测生产肖特基二极管中TiSi<subgt;x</subgt;的厚度，为实际生产过程中避免机台受到沾污以至于影响生产的WPH，同时也保证了机台中尽可能达到降本增效的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及快速热退火设备监测，具体涉及一种监测快速热退火设备稳定性的方法。

技术介绍

1、rtp(rapid thermal processing)快速热处理工艺，被广泛应用于implantanneal(植入退火)、titanium salicide(钛的硅化工艺)领域，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算。因此对快速热退火设备腔体温度的控制要求极其严苛。在肖特基二极管中，通过rtp反应生成的tisix发挥着较为重要的作用。

2、目前fabrication验证rtp机台温度或在rtp机台进行监测时通常有两种：

3、1.使用test control wafer(tc wafer)，参见图1，其校温原理是将tc wafer置于process chamber中，关闭腔门，运行整个工艺窗口的温度曲线，最终温度将在温度检测台上显示，但本方法的tc wafer使用率较高，接触点故障率较高，频繁更换tc wafer也将导致成本升高，通过引线损失的热使硅片局部被降温并导致工艺不均匀，很难保证多次测量的一致性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，步骤S1中，以反应速率及温度为变量，以阿伦尼乌斯公式为基础进行模拟计算。

3.根据权利要求1所述的监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，步骤S1中，模拟使用晶圆的生长模式为在硅衬底上生长一层950A金属Ti，而后提取在500-950℃下以10℃间隔的势垒厚度。

4.根据权利要求3所述的监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，模拟流程如下：

5.根据权利要求1所述的监测快速热退火设备稳定性的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，步骤s1中，以反应速率及温度为变量，以阿伦尼乌斯公式为基础进行模拟计算。

3.根据权利要求1所述的监测快速热退火设备稳定性的方法，其特征在于，步骤s1中，模拟使用晶圆的生长模式为在硅衬底上生长一层950a金属ti，而后提取在500-950℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思淼，张海宇，李彦庆，叶武阳，徐志峰，
申请(专利权)人：长春长光正圆微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：