【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,特别涉及一种用于带隙基准电路中的启动电路。
技术介绍
1、传统教科书上带有运算放大器的典型带隙基准一般都没有启动电路,仅通过调整输入差分晶体管的几何参数来纠正工艺偏差,这会导致带隙基准电路的输出偏低情况,在一些极限工艺偏差的情况下会导致带隙基准输出处于低压简并点,从而引起基准电压不能正常建立的风险。
2、因此亟需一种新型启动电路,以纠正极限工艺偏差导致的带隙基准不能正常启动的问题,提高带隙基准电路良率,提高系统的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于带隙基准电路中的启动电路,以解决纠正极限工艺偏差导致的带隙基准不能正常启动的问题。
2、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种用于带隙基准电路中的启动电路,
3、启动电路和带隙基准电路使用供电电压vcc进行供电工作,启动电路的输入端连接带隙基准电路输出的基准电压vbgr,启动电路的输出端连接带隙基准电路中运算放大器的正输入端;
4、所述启动电路在电路
...【技术保护点】
1.一种用于带隙基准电路中的启动电路,其特征在于,
2.如权利要求1所述的用于带隙基准电路中的启动电路,其特征在于,所述带隙基准电路包含运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极晶体管和第二双极晶体管;其中运算放大器的正输入端连接第一电阻的第二端和第二双极晶体管的发射极,运算放大器的负输入端连接第二电阻的第二端和第三电阻的第一端;第一双极晶体管和第二双极晶体管用于产生正温度系数电压,且二者工作在相同的电流;第一电阻和第二电阻相等;第一双极晶体管的基极和第二双极晶体管的基极都连接到地形成二极管连接方式;第一双极晶体管的发射极端连接第三电阻的第二端,第
...【技术特征摘要】
1.一种用于带隙基准电路中的启动电路,其特征在于,
2.如权利要求1所述的用于带隙基准电路中的启动电路,其特征在于,所述带隙基准电路包含运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极晶体管和第二双极晶体管;其中运算放大器的正输入端连接第一电阻的第二端和第二双极晶体管的发射极,运算放大器的负输入端连接第二电阻的第二端和第三电阻的第一端;第一双极晶体管和第二双极晶体管用于产生正温度系数电压,且二者工作在相同的电流;第一电阻和第二电阻相等;第一双极晶体管的基极和第二双极晶体管的基极都连接到地形成二极管连接方式;第一双极晶体管的发射极端连接第三电阻的第二端,第二双极晶体管的发射极端连接第一电阻的第二端。
3.如权利要求2所述的用于带隙基准电路中的启动电路,其特征在于,所述启动电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管;第一pmos管和第二pmos管组成第一共源共栅结构,第三pmo...
【专利技术属性】
技术研发人员:周健,张勇,李飞,邓玉清,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所,
类型:发明
国别省市:
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