【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种晶圆承载盘，尤其指一种可用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)及原子层沉积(ald)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制备工艺中。
2、沉积的设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，并分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，其中晶圆承载盘还会控制承载的晶圆的温度。腔体内的惰性气体会因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体。离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子会受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。
3、具体而言，晶圆承载盘产生的温度的稳定度及均匀度会对晶圆表面的薄膜沉积质量造成相当大的影响，为此如何使得晶圆承载盘产生稳定且均匀的温度，是薄膜沉积制备工艺中重要
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1.一种用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该支撑组件包括一基座及一承载单元，该承载单元设置在该基座上，而该凹槽则设置在该承载单元上。
3.如权利要求2所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该承载单元为一钛盘，而该扩散单元的导热系数大于该钛盘的导热系数。
4.如权利要求1所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该凸起部的面积为该本体的该承载面的面积的30%至70%之间。
5.如权利要求1所述的用以提供均匀温度分...
【技术特征摘要】
1.一种用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该支撑组件包括一基座及一承载单元，该承载单元设置在该基座上，而该凹槽则设置在该承载单元上。
3.如权利要求2所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该承载单元为一钛盘，而该扩散单元的导热系数大于该钛盘的导热系数。
4.如权利要求1所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该凸起部的面积为该本体的该承载面的面积的30%至70%之间。
5.如权利要求1所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该凸起部的高度为0.3mm至1mm之间。
6.如权利要求5所述的用以提供均匀温度分布的晶圆承载盘，其特征在于，该凸起部的直径约为6mm至10mm之间，而相邻的该...
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊富，郑启鸿，郑耀璿，刘启翔，刘国儒，易锦良，
申请(专利权)人：天虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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