监测SRAM层间介质层填充的方法技术

本发明专利技术提供一种监测SRAM层间介质层填充的方法，包括：提供衬底，在衬底中形成伪有源区结构，伪有源区结构包括若干沿第一方向并行排布的伪有源区，相邻的伪有源区之间通过浅沟槽隔离间隔；在衬底上方形成伪栅极结构，伪栅极结构包括若干沿第二方向并行排布的伪栅极；伪栅极结构横跨伪有源区结构和浅沟槽隔离；第一方向和第二方向垂直；通过调整设置伪有源区宽度和/或相邻伪有源区间距，以及伪栅极宽度和/或相邻伪栅极间距，模拟出层间介质层需填充的复杂沟槽结构。本发明专利技术能够监测复杂的填充结构，叠加相邻伪栅极之间的沟槽深宽比和伪有源区与浅沟槽隔离二者交界处凹陷两个因素，也能基于该结构去验证不同层间介质层的填充工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种监测sram层间介质层填充的方法。

技术介绍

1、静态随机存取存储器(sram)是一种具有静止存取功能的内存，其不需要刷新电路就能保存它内部存储的数据，还具有容量大，读取速度比动态随机存储器(dram)快等优点。静态随机存储器具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点，广泛应用于pc、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。

2、sram制作工艺中，在相邻栅极之间的较窄的凹槽区域(如图1黄圈内)，以及浅沟槽隔离和有源区的交界区域(如图2黄圈内)均存在凹陷(豁口)。层间介质层填充相邻栅极之间的凹槽，以及填充并覆盖浅沟槽隔离和有源区，填充后在对应的凹陷位置容易出现空洞的风险。这个空洞离接触孔的距离很近，如果接触孔关键尺寸大一点或者有源区偏移一点，接触孔内的阻挡层和金属插塞将填充不好，最终导致器件连接有问题。目前平台没有监测sram区域这种复杂结构的层间介质层填充效果，无法监测到sram内类似上述凹陷位置有没有空洞。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种监测SRAM层间介质层填充的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的监测SRAM层间介质层填充的方法，其特征在于，所述伪有源区结构包括多个伪有源区组，每个所述伪有源区组包括多个所述伪有源区，每个所述伪有源区组内相邻的所述伪有源区的间距相等，各个所述伪有源区组的所述伪有源区的宽度均相等，各个所述伪有源区组的相邻所述伪有源区的间距逐渐减小或逐渐增大。

3.如权利要求2所述的监测SRAM层间介质层填充的方法，其特征在于，各个所述伪有源区组的相邻所述伪有源区的间距变化范围为：0.30μm～0.10μm。

4.如权利要求1所述的监测SRAM层间介...

【技术特征摘要】

1.一种监测sram层间介质层填充的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的监测sram层间介质层填充的方法，其特征在于，所述伪有源区结构包括多个伪有源区组，每个所述伪有源区组包括多个所述伪有源区，每个所述伪有源区组内相邻的所述伪有源区的间距相等，各个所述伪有源区组的所述伪有源区的宽度均相等，各个所述伪有源区组的相邻所述伪有源区的间距逐渐减小或逐渐增大。

3.如权利要求2所述的监测sram层间介质层填充的方法，其特征在于，各个所述伪有源区组的相邻所述伪有源区的间距变化范围为：0.30μm～0.10μm。

4.如权利要求1所述的监测sram层间介质层填充的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括多个伪栅极组，每个所述伪栅极组包括多个所述伪栅极，每个所述伪栅极组内相邻所述伪栅极的间距相等，各个所述伪栅极组的所述伪栅极的宽度均相等，各个所述伪栅极组的相邻所述伪栅极的间距逐渐减小或逐渐增大。

5.如权利要求4所述的监测sram层间介质层填充的方法，其特征在于，各个所述伪栅极组的相邻所述伪栅极的间距变化范围为：0.52μm～0.14μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：苏步春，杨辉，车俐佳，李俊杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：