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本发明提供一种监测SRAM层间介质层填充的方法，包括：提供衬底，在衬底中形成伪有源区结构，伪有源区结构包括若干沿第一方向并行排布的伪有源区，相邻的伪有源区之间通过浅沟槽隔离间隔；在衬底上方形成伪栅极结构，伪栅极结构包括若干沿第二方向并行排布...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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