FDSOI器件交流小信号与NBTI效应联合仿真方法技术

本发明专利技术公开了一种FDSOI器件交流小信号与NBTI效应联合仿真方法，涉及半导体器件技术领域，该方法包括：建模得到二维器件结构初始模型，对所建立的模型进行校准；对校准后的模型进行混合模式下的交流小信号仿真，得到反应交流小信号特性的第一特性曲线；对校准后的模型设置陷阱退化参数，得到器件真实情况下NBTI的退化情况；进行NBTI效应和交流小信号的联合仿真，得到NBTI效应作用后的交流小信号特性的第二特性曲线，通过对比两条特性曲线，明确NBTI效应对交流小信号特性的影响。本发明专利技术通过联合仿真方法，提高了收敛性，同时通过校准的器件结构和退化参数，可准确地反应NBTI效应对交流小信号特性的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种fdsoi(fully depleted siliconon insulator，全耗尽绝缘体上硅)器件交流小信号与nbti(negative bias temperatureinstability负偏压温度不稳定)效应联合仿真方法。

技术介绍

1、近年来，半导体集成电路行业快速发展，器件尺寸不断缩小以及栅氧化层的厚度不断减薄，器件的可靠性问题越来越严重，包括负偏压温度不稳定(nbti)、热载流子注入(hci)、总剂量效应(tid)以及经时击穿(tddb)等问题，而nbti效应已经成为cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)技术中存在的主要可靠性问题，会对器件的使用寿命产生一定影响，因此对于nbti效应的研究变得越来越重要。

2、目前，fdsoi器件已经广泛应用，相较于体硅器件，fdsoi器件可以增强栅控能力并且减少栅极漏电流，并且具有较低功耗的特点。有研究表明，fdsoi器件的nbti效应相较于体硅器件更为严重，由于fdsoi器件具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种FDSOI器件交流小信号与NBTI效应联合仿真方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的FDSOI器件交流小信号与NBTI效应联合仿真方法，其特征在于，建立的二维器件结构初始模型，包括：

3.根据权利要求1所述的FDSOI器件交流小信号与NBTI效应联合仿真方法，其特征在于，对所述二维器件结构初始模型进行模型参数修正，得到二维器件结构校准模型，包括：

4.根据权利要求3所述的FDSOI器件交流小信号与NBTI效应联合仿真方法，其特征在于，所述模型参数包括：栅极功函数、源漏掺杂浓度、沟道掺杂浓度和LDD掺杂浓度。>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种fdsoi器件交流小信号与nbti效应联合仿真方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的fdsoi器件交流小信号与nbti效应联合仿真方法，其特征在于，建立的二维器件结构初始模型，包括：

3.根据权利要求1所述的fdsoi器件交流小信号与nbti效应联合仿真方法，其特征在于，对所述二维器件结构初始模型进行模型参数修正，得到二维器件结构校准模型，包括：

4.根据权利要求3所述的fdsoi器件交流小信号与nbti效应联合仿真方法，其特征在于，所述模型参数包括：栅极功函数、源漏掺杂浓度、沟道掺杂浓度和ldd掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的fdsoi器件交流小信号与nbti效应联合仿真方法，其特征在于，在sdevice中对所述二维器件结构校准模型进行交流小信号仿真，得到第一特性曲线，包括：

6.根据权利要求5所述的fdsoi器件交流小信号与nbti效应联合仿真方法，其特征在于，所述coupled部分包括：所述二维器件结构校准模型的栅极扫描电压和漏极电压；

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红侠，于浩，王树龙，陈树鹏，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：