晶体生长炉制造技术

本申请公开了一种晶体生长炉，其包括主炉室、副炉室和提拉组件，副炉石与主炉室连接，并设于主炉室的上方，提拉组件设于副炉室的上方，用于提拉晶棒；提拉组件包括提拉轴、提拉支架和抬升机构，提拉轴通过抬升机构与提拉支架连接，抬升机构与提拉支架滑动连接，抬升机构具有沿竖直方向相对提拉支架的移动自由度；晶体生长炉还包括与抬升机构电连接的电位检测组件，电位检测组件用于检测抬升机构的电位，并根据抬升机构的电位确定晶棒是否与硅熔体分离。通过上述设置，能够在晶棒与硅熔体分离时降低功率，降低能耗，并且提升生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶体生长，尤其是指一种晶体生长炉。

技术介绍

1、晶体生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。

2、主机部分主要由机架、炉体、水冷式阀座、晶体提升及旋转机构、坩埚提升及旋转机构、氩气系统、真空系统及自动炉压检测控制、水冷系统及多种安全保障装置等结构组成。由于晶棒生长过程中炉体内为真空环境，操作人员进能够通过炉体上的观察口对晶棒进行观测，仅通过人为观测的方式无法及时获知晶棒的生长状态以及晶棒的位置，并且人为观测的方式对于晶棒是否与硅熔体分离容易产生误判。

3、此外，若晶棒与硅熔体分离即可降低设备的功率，并执行后续的自动化步骤，一旦人为观测产生误差，容易导致设备的加工时间过长，造成设备的能耗浪费，并且降低后续的加工效率。

技术实现思路

1、为了解决现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶体生长炉，其解决了观测晶棒生长状态较为困难的问题。

2、为实现上述目的，本申请采用如下的技术方案：

3、一种晶体生长炉，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体生长炉，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的晶体生长炉，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的晶体生长炉，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的晶体生长炉，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种晶体生长炉，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，朱亮，倪军夫，阮文星，梁晋辉，冯贤剑，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：