【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶炉冷却，具体涉及一种单晶炉及冷却方法。
技术介绍
1、直拉晶体生长炉又叫单晶炉，是一种用于单晶体生长的设备，以直拉法为基础，通过精确的热管理和拉出速度，实现单晶材料的高质量生长。整个过程的核心在于温度的控制、晶种的选择和拉晶速度的调节，这些因素共同决定了最终晶体的质量与性能。
2、现有的单晶炉在停炉过后，需要将热场冷却、清理后，才能重新投炉。由于现有晶体生长炉的热场结构采用碳基保温材料包覆，虽然能够确保在整个生产过程中热量尽可能少的散失，但是会导致单晶炉在停炉冷却等待时间长。如cn114574943a公开的一种单晶炉及一种单晶，其中主要公开了一种单晶炉，包括炉体和炉盖，炉体中设有坩埚、保温筒、环状保温台、隔离筒，保温筒包括上保温筒，上保温筒位于坩埚的顶部，坩埚与上保温筒连通；环状保温台设置于上保温筒的顶端；隔离筒设置于环状保温台远离坩埚的平面上，且隔离筒的顶端与炉盖之间存在预设间隙。
3、但是上述技术方案只有导流筒能够升降，其环状保温台并不能与保温筒分离，气流只能从导流筒和环状保温台之间的间隙进...
【技术保护点】
1.一种单晶炉的冷却方法，其特征在于，所述方法涉及：
2.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述炉体上设有可升降的冷却水管，所述冷却水管连接在所述导流筒上，所述冷却水管用于驱动所述导流筒提升到第一高度。
3.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述导流筒的底端设有锥形部，所述导流筒位于所述第一高度时，所述锥形部位于所述保温筒的上方；
4.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述第一间隙的宽度、第二间隙的宽度、第三间隙的宽度和第四间隙的宽度之间的比值为11：9：7～13：5～11。
5.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的冷却方法，其特征在于，所述方法涉及：
2.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述炉体上设有可升降的冷却水管，所述冷却水管连接在所述导流筒上，所述冷却水管用于驱动所述导流筒提升到第一高度。
3.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述导流筒的底端设有锥形部，所述导流筒位于所述第一高度时，所述锥形部位于所述保温筒的上方；
4.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述第一间隙的宽度、第二间隙的宽度、第三间隙的宽度和第四间隙的宽度之间的比值为11：9：7～13：5～11。
5.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述冷却方法还涉及提拉装置，所述提拉装置包括提拉杆，所述提拉杆的底部设有多个支架组件；所述支架组件能够从竖直的收缩状态摆动至水平的展开状态；
6.根据权利要求5所述的冷却方法，其特征在于，所述提拉装置还包括管体，所述管体上设有凸缘，所述管体可通过所述凸缘搁置在炉口处，且管体完全贯穿所述导流筒，所述支架组件能够以收缩状态置于所述管体内，并通过外设的升降机构驱动沿管体长度下行，直至所述支架组件穿过所述管体后，所述支架...
【专利技术属性】
技术研发人员：王唯佳，
申请(专利权)人：广东先导元创精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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