半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺制造技术

本发明专利技术提供半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，包括：S1、对半导体零部件气体分配盘进行预清洗；S2、对预清洗后的气体分配盘进行研磨抛光；S3、对研磨抛光后的气体分配盘进行化学抛光；所述化学抛光包括：S31、脱脂清洗；S32、碱蚀清洗；S33、采用硝酸与硫酸铁的混合溶液清洗剂进行清洗；S34、采用磷酸与硫酸的混合溶液清洗剂进行清洗；S35、采用硝酸清洗；S36、采用硝酸与氢氟酸的混酸清洗；S37、采用硝酸清洗。该清洗工艺清洗后的半导体零部件气体分配盘表面无麻点、孔径变化符合要求、孔内壁洁净、无斑点，孔口无毛刺，产品无腐蚀坑点，且清洗后的产品耐腐蚀性提高；本工艺相比于现有的清洗方法，提高了产品的耐腐蚀性与洁净度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体零部件清洗，具体涉及半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺。

技术介绍

1、半导体芯片制造的刻蚀工艺中，使含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质在衬底表面上进行化学反应生成薄膜，其原理是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状的化学物质在气相或气固界面上经过化学反应形成固态沉积物，形成薄膜沉积在晶圆上。气体分配盘位于晶圆的上方，为使气体均匀的沉积到晶圆上，气体分配盘需要具有很强耐腐蚀性和很高的洁净度，避免在沉积薄膜时尘埃颗粒，随着气体掉落到晶圆上，影响芯片品质，因此对核心部件气体分配盘清洗质量有很高的要求。

2、cn117324291a公开了一种关于cvd shower head部件的清洗方法，属于半导体零部件清洗
该清洗方法包括：吹扫；异丙醇溶液中浸泡； 清洗液浸泡；koh水溶液浸泡；酸液浸泡；超声处理；烘干等操作。

3、气体分配盘具有精密的孔径使得清洗变得较为复杂，现有的清洗工艺存在清洗不彻底、不能保证产品的洁净度、耐腐蚀性和寿命，或者产品表面存在麻点，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤S31中，脱脂清洗的清洗剂组分为：20～30份碳酸钠、5～10份磷酸钠、5～15份硼酸钠、20～30份乳化剂、10～15份消泡剂；

3.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤S33中，所述硝酸与硫酸铁的混合溶液中，硝酸的浓度为15~20%，硫酸铁的浓度为3~5g/L；

4.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤S34中，所述磷酸与硫酸...

【技术特征摘要】

1.半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤s31中，脱脂清洗的清洗剂组分为：20～30份碳酸钠、5～10份磷酸钠、5～15份硼酸钠、20～30份乳化剂、10～15份消泡剂；

3.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤s33中，所述硝酸与硫酸铁的混合溶液中，硝酸的浓度为15~20%，硫酸铁的浓度为3~5g/l；

4.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤s34中，所述磷酸与硫酸的混合溶液中，质量浓度为85%磷酸与质量浓度为98%硫酸的体积比为3~4:1~2；

5.如权利要求1所述的半导体零部件气体分配盘的表面清洗加工工艺，其特征在于，步骤s32中，所述碱蚀清洗的清洗剂为氢氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏学周，易朋，
申请(专利权)人：广东先导元创精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：