【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体加工，具体涉及一种柔性产品的制造方法。
技术介绍
1、现有实现聚酰亚胺(pi)膜层与基底分离的方法主要有化学和物理两种方式，化学方法通常在pi膜层和基底之间增加牺牲层，如氧化硅层，通过氢氟酸腐蚀氧化硅实现pi膜层的释放；物理方法有通过纯机械撕膜的方式，把pi膜层从基底上分离。
2、然而，对某些特定的应用领域，由于化学方法需要使用化学药品而不能接受，特别是像氢氟酸类的强酸、高危险化药。而纯机械撕膜的物理方式通常只能适用较少面积及较厚的膜层，很难实现厚度2um以下薄pi膜层的大面积分离，如在8寸晶圆上实现pi膜层分离。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种柔性产品的制造方法，至少可以解决现有技术中存在的部分缺陷。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种柔性产品的制造方法，包括如下过程：
4、在基底上形成第一膜层，再在第一膜层上形成第二膜层，并且第一膜层与第二膜层之间的表面结合力小于第一膜层与基底之
【技术保护点】
1.一种柔性产品的制造方法，其特征在于，包括如下过程：
2.如权利要求1所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述机械分离方式为：从第二膜层一侧施加作用力，使基底产生裂片并弯曲翘起，实现第二膜层与第一膜层之间界面分离。
3.如权利要求2所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述第一膜层上刻蚀开设有槽口，且从所述基底上背向第一膜层一侧开始进行裂片，所述基底的裂片位置对应所述槽口。
4.如权利要求1所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述机械分离方式为：通过干法刻蚀或激光切割的方式从第二膜层表面进行开槽，其开槽深度不小于第二膜层厚度，...
【技术特征摘要】
1.一种柔性产品的制造方法，其特征在于，包括如下过程：
2.如权利要求1所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述机械分离方式为：从第二膜层一侧施加作用力，使基底产生裂片并弯曲翘起，实现第二膜层与第一膜层之间界面分离。
3.如权利要求2所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述第一膜层上刻蚀开设有槽口，且从所述基底上背向第一膜层一侧开始进行裂片，所述基底的裂片位置对应所述槽口。
4.如权利要求1所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述机械分离方式为：通过干法刻蚀或激光切割的方式从第二膜层表面进行开槽，其开槽深度不小于第二膜层厚度，再对第二膜层进行边角揭膜，实现第二膜层与第一膜层之间界面分离；
5.如权利要求1所述的柔性产品的制造方法，其特征在于，所述第二膜层为聚酰亚胺膜，所述第一膜层选用聚酰亚...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，黄立，毛添华，蒋文杰，汪超，陈绪文，王春水，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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