【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种用于去除衬底背面金属层的方法。
技术介绍
1、在集成电路的制造过程中，为了形成电极(例如位于场效应晶体管背面的漏电极)或者为了提高半导体器件的散热效果而形成的金属散热层，经常需要对衬底的背面进行金属化工艺处理以形成多层金属层。当前最常见的金属层包括钛镍银(ti-ni-ag)层和铝钛镍银(al-ti-ni-ag)层。
2、在实际的半导体制造过程中，经常会根据需求去除衬底背面的金属层。通常去除衬底背面的金属层的方法包括：先采用王水(浓盐酸和浓硝酸按体积比v浓盐酸：v浓硝酸＝3:1混合形成)腐蚀掉金属层中的银层和镍层，再用氢氟酸腐蚀掉钛层。若有铝层，则在氢氟酸腐蚀之后，还要采用硝酸腐蚀掉铝层。这是因为，金属钛不溶于王水，因此需要使用氢氟酸单独腐蚀钛层。可见，当前腐蚀掉衬底背面的金属层需要经过多次腐蚀作业，操作较为繁琐。而且，王水腐蚀性较强，工作人员在采用王水腐蚀衬底背面的金属层时存在一定的危险。
3、因此，如何简化衬底背面金属层的去除操作，提高衬底背面金属层的去除效率，同时提高衬底...
【技术保护点】
1.一种用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，所述金属层还包括金属铝层。
3.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺同时去除所述金属层中的所述金属钛层、所述金属镍层和所述金属银层之前，还包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺同时去除所述金属层中的所述金属钛层、所述金属镍层和所述金属银层之前，还包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的用于去...
【技术特征摘要】
1.一种用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，所述金属层还包括金属铝层。
3.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺同时去除所述金属层中的所述金属钛层、所述金属镍层和所述金属银层之前，还包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺同时去除所述金属层中的所述金属钛层、所述金属镍层和所述金属银层之前，还包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，所述衬底包括相对分布的正面和背面；采用湿法清洗工艺同时去除所述金属层中的所述金属钛层、所述金属镍层和所述金属银层之前，还包括如下步骤：
6.根据权利要求1所述的用于去除衬底背面金属层的方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯异，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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