【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆清洗，尤其涉及一种驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
1、在半导体领域，cmp（chemical mechanical polishing，化学机械抛光）属于晶圆制造工序中的核心制程之一，cmp后的晶圆表面会引入污染和/或颗粒物，因此，需要对晶圆进行清洗、干燥等后处理。
2、通常，用于清洗晶圆的刷洗系统一般包含有驱动模块和喷淋模块，驱动模块驱动晶圆旋转，喷淋模块向晶圆的表面喷淋清洗液以进行清洗。然而现有技术中，对于驱动模块的保湿的用水量较大，损耗较高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质及电子设备，以至少部分解决上述问题。
2、根据实施例的第一方面，提供了一种驱动机构的保湿控制方法，应用于晶圆清洗装置中的驱动机构，所述驱动机构包括轮体和旋转轴，所述旋转轴与所述轮体同步旋转，所述旋转轴内部设置第一流道，所述轮体内部包括沿所述轮体的径向设置的第二流道，所述第一流道用于向...
【技术保护点】
1.一种驱动机构的保湿控制方法，其特征在于，应用于晶圆清洗装置中的驱动机构，所述驱动机构包括轮体和旋转轴，所述旋转轴与所述轮体同步旋转，所述旋转轴内部设置第一流道，所述轮体内部包括沿所述轮体的径向设置的第二流道，所述第一流道用于向所述第二流道输送流体，所述流体通过所述第二流道从所述轮体的外缘流出，所述轮体的外缘设置有与晶圆配合、且与所述第二流道相通的间隙，所述驱动机构的保湿控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述流体以微正压模式流入所述第一流道包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冲洗模式下的流体压...
【技术特征摘要】
1.一种驱动机构的保湿控制方法，其特征在于，应用于晶圆清洗装置中的驱动机构，所述驱动机构包括轮体和旋转轴，所述旋转轴与所述轮体同步旋转，所述旋转轴内部设置第一流道，所述轮体内部包括沿所述轮体的径向设置的第二流道，所述第一流道用于向所述第二流道输送流体，所述流体通过所述第二流道从所述轮体的外缘流出，所述轮体的外缘设置有与晶圆配合、且与所述第二流道相通的间隙，所述驱动机构的保湿控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述流体以微正压模式流入所述第一流道包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冲洗模式下的流体压力大于所述微正压模式下的流体压力。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对轮体进行保湿包括：按照驱动机构的跑片频率确定流体的控制量，以在跑片过程中对轮体进行保湿。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述流体的控制量包括以下至少之一：开启间隔、持续时间...
【专利技术属性】
技术研发人员：路新春，孙传恽，刘晟桤，许振杰，李长坤，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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