【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及记录介质。
技术介绍
1、作为半导体装置(半导体器件)的制造工序的一个工序，例如有以使用加热装置对处理室内的基板进行加热，使在基板的表面成膜的薄膜中的组成或结晶结构变化，或修复成膜的薄膜内的结晶缺陷等的退火处理为代表的改性处理。作为改性处理方法，研究了例如专利文献1所示的使用电磁波的热处理方法。
2、在以往的使用电磁波的处理中，有时由于热处理而从处理对象膜向处理对象膜以外的膜进行热扩散。
3、专利文献1：日本特开2015-070045号公报
技术实现思路
1、本公开提供一种能够抑制热扩散的技术。
2、根据本公开的一个方式，提供以下技术，具备：处理室，其对形成有添加了掺杂剂的第一膜和与所述第一膜不同的第二膜的基板进行处理；电磁波供给部，其向所述基板供给电磁波；以及控制部，其构成为能够控制所述电磁波供给部，使得在通过所述电磁波加热所述掺杂剂的过程中，在所述第二膜被加热之前停止所述电磁波的供给。p>
3、根据本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
1...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。