【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信，具体涉及一种高调制带宽高光输出效率的mini型绿光led。
技术介绍
1、led光通信技术的出现缓解了射频通信频谱匮乏的问题。光通信因为的高速、高宽带、低损耗、低干扰的优势，迅速成为了当下研究的一个热点。mini型led，是指尺寸小于200μm的led器件，由于电流拓展性优于大尺寸led，随着led尺寸的减小，led光束的横向传播减小，可以获得更高的发光效率；且水平方向的电阻减小，合理改善了电流分布，极大地改善了电流拓展效应，提高了载流子的复合效率，进一步提升了带宽。mini led高调制带宽、大电流密度的优势，让其常常被选作为led可见光通信中的信源，但由于algan和gan之间的失配应力增大所引起的强极化，导致严重的量子约束斯塔克效应(qcse)，从而加剧了电子泄漏和非辐射复合，特别是奥吉尔重组。受到非辐射复合的影响，现目前水平mini led的光输出功率lop很小，低于1mw，插墙效率wpe低于1％，无法满足长传输距离的要求，调制带宽及光输出效率均受到了限制，难以满足高速率地通信。
【技术保护点】
1.一种绿光LED，其特征在于，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；
2.根据权利要求1所述的绿光LED，其特征在于，所述多量子阱层中，第一个周期的量子阱结构中AlGaN插入层的Al组分为0.04，最后一个周期的量子结构中AlGaN插入层的Al组分为0.2，相邻周期的量子阱结构中AlGaN插入层的Al组分的差值恒定。
3.根据权利要求1或2所述的绿光LED，其特征在于，单个周期的量子阱结构中，InGaN层的厚度为3nm，第一GaN层的厚度为3nm，AlGaN插入层的厚度为1～2nm，第二GaN层的厚度为
【技术特征摘要】
1.一种绿光led，其特征在于，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；
2.根据权利要求1所述的绿光led，其特征在于，所述多量子阱层中，第一个周期的量子阱结构中algan插入层的al组分为0.04，最后一个周期的量子结构中algan插入层的al组分为0.2，相邻周期的量子阱结构中algan插入层的al组分的差值恒定。
3.根据权利要求1或2所述的绿光led，其特征在于，单个周期的量子阱结构中，ingan层的厚度为3nm，第一gan层的厚度为3nm，algan插入层的厚度为1～2nm，第二gan层的厚度为3nm。
4.根据权利要求3所述的绿光led，其特征在于，所述algan/gan叠层中，algan层的厚度为1～2nm，gan层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹以安，韦克俊，莫淇予，谢雅芳，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：
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