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本发明涉及一种绿光LED，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；多量子阱层包括n个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构由InGaN层、第一GaN层、AlGaN插入层和第二GaN层依次层叠而成，AlG...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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