一种单晶硅的磨削方法技术

本发明专利技术涉及半导体硅材料加工技术领域，且公开了一种单晶硅的磨削方法，该方法针对单晶硅硅片的磨削加工，主要步骤包括，将硅棒切割成多个硅片样本，并按照不同应用领域设定硅片厚度，将硅片样本的切割面作为磨削面，并设定磨削阶段，包括磨削准备、加工和后处理阶段，对磨削面进行光照分析，通过不同投射方式获取光照分析图，识别磨削面上的凸起和凹陷区域，利用阴影区域获取策略和阴影区域匹配策略，确定磨削面上的缺陷位置，根据识别的凸起和凹陷区域，执行磨削策略，包括磨削点位的确定和凸起区域的磨削。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体硅材料加工，具体为一种单晶硅的磨削方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断进步，单晶硅作为关键的电子材料，在集成电路和光伏电池制造中扮演着至关重要的角色。单晶硅硅片的磨削加工质量直接关系到电子器件的性能和生产成本。然而，传统的单晶硅磨削方法存在效率低下、表面质量不均一等问题，难以满足高精度和高效率的加工需求。

2、在现有技术中，单晶硅硅片的磨削加工多依赖于经验参数和定性判断，缺乏精确的量化分析手段。此外，磨削过程中对硅片表面的凸起和凹陷区域识别不够精确，导致硅片表面处理不均匀，影响器件的性能和寿命。

3、为了提升单晶硅硅片的加工质量，需要一种更为先进和精确的磨削方法。这种方法应能够实现对硅片表面识别并处理表面缺陷，以满足高精度电子器件制造的需求。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种单晶硅的磨削方法，用于促进解决上述
技术介绍
中所提到的问题。

2、本专利技术提供如下技术方案：一种单晶硅的磨削方法，可选的，将硅棒切割分为多个硅片样本；

3、设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，

2.根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域；

3.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据两种投射方式，通过投射光源对磨削面进行投射，获取第一投射方式与第二投射方式生成的光照分析图集合，分别记为光照分析图集合U与光照分析图集合Y，包括：

4.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域，包括：

5.根据权利要求3所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据集合A、集合B、集合C，集合...

【技术特征摘要】

1.一种单晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，

2.根据光照分析图集合u与集合y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域；

3.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据两种投射方式，通过投射光源对磨削面进行投射，获取第一投射方式与第二投射方式生成的光照分析图集合，分别记为光照分析图集合u与光照分析图集合y，包括：

4.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削方法，其特征在于，所述根据光照分析图集合u与集合y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域，包括：

5...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帅，程冬平，周凌龙，刘学军，
申请(专利权)人：江苏矽腾半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：