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本发明涉及半导体硅材料加工技术领域，且公开了一种单晶硅的磨削方法，该方法针对单晶硅硅片的磨削加工，主要步骤包括，将硅棒切割成多个硅片样本，并按照不同应用领域设定硅片厚度，将硅片样本的切割面作为磨削面，并设定磨削阶段，包括磨削准备、加工和后处...
该专利属于江苏矽腾半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏矽腾半导体材料有限公司授权不得商用。

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