低电阻过孔结构制造技术

讨论了形成低电阻过孔的技术。在示例中，给定行的半导体器件各自包括在第一方向上在对应的源极区域或漏极区域之间延伸的半导体区域，以及在第二方向上在半导体区域上方延伸的栅极结构。任何半导体器件可以由电介质结构沿着第二方向与相邻的半导体器件分离，过孔穿过该电介质结构。过孔可以包括导电部分，该导电部分沿着栅极结构的至少整个厚度在第三方向上延伸穿过电介质壁。导电部分包括直接在电介质壁上的导电衬层和在导电衬层上的导电填充物。导电衬层包括纯元素金属，诸如钨、钼、钌或镍铝合金，其中在导电衬层与电介质壁之间不存在金属氮化物或阻挡层。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及集成电路，更具体而言，涉及过孔结构。

技术介绍

1、随着集成电路的尺寸不断向下缩小，出现了许多挑战。例如，减小存储器和逻辑单元的大小变得越来越困难，特别是考虑到相对小的空间量内存在着利益冲突。例如，考虑到器件的有限空间和密度，在整个电路中传送信号和电力可能是具有挑战性的。传送信号和电力的互连结构的电阻影响器件的整体速度和可行性。因此，关于存储器或逻辑单元中的半导体器件的形成，仍存在许多难以忽视的挑战。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种集成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括电介质壁，所述电介质壁在所述第三方向上延伸穿过所述栅电极的整个厚度，其中，所述导电过孔在所述第三方向上延伸穿过所述电介质壁的整个厚度。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述导电衬层基本上由所述纯元素金属构成并且直接位于所述电介质壁上。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述纯元素金属是钨或钼。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述导电填充物包括所述纯元素金属。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述纯元素金属是第一纯元素金属，并且其中，...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括电介质壁，所述电介质壁在所述第三方向上延伸穿过所述栅电极的整个厚度，其中，所述导电过孔在所述第三方向上延伸穿过所述电介质壁的整个厚度。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述导电衬层基本上由所述纯元素金属构成并且直接位于所述电介质壁上。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述纯元素金属是钨或钼。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述导电填充物包括所述纯元素金属。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述纯元素金属是第一纯元素金属，并且其中，所述导电填充物包括不同于所述第一纯元素金属的第二纯元素金属。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述第一纯元素金属是钼，并且所述第二纯元素金属是钨。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的集成电路，其中，所述导电衬层在所述过孔的侧壁上具有第一厚度，并且在所述过孔的底部上具有第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度厚至少2nm。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的集成电路，其中，在所述导电衬层与所述导电填充物之间的界面处不存在氧原子。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的集成电路，其中，在所述导电衬层内不存在碳、氟或氯原子。

11.根据权利要求1-7中任一项所述的集成电路，其中，所述半导体区域包括多个半导体纳米带。

12.根据权利要求1-7中任一项所述的集成电路，其中，所述第二方向基本上垂直于所述第一方向，并且所述第三方向基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向。

13.根据权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈明逸，CH·崔，J·梅赫塔，T·拉赫曼，P·阿明，J·E·米勒，V·希普韦尔，C·S·福格尔斯贝格尔，S·F·帕特尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：