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讨论了形成低电阻过孔的技术。在示例中，给定行的半导体器件各自包括在第一方向上在对应的源极区域或漏极区域之间延伸的半导体区域，以及在第二方向上在半导体区域上方延伸的栅极结构。任何半导体器件可以由电介质结构沿着第二方向与相邻的半导体器件分离，过...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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