一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS制造技术

本技术提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面；阱区，所述阱区连接至所述漂移层，所述阱区内设有源区；低阻结构层，所述低阻结构层穿过所述阱区连接至所述漂移层；栅介质层，所述栅介质层连接至所述阱区以及低阻结构层，所述栅介质层上设有沟槽；源极金属层，所述源极金属层连接至所述阱区以及源区；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内，且所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面，降低了栅极控制反型区面积，进而降低了栅极电荷，降低了器件的驱动损耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种分离平面栅低阻碳化硅vdmos。

技术介绍

1、sic vdmos作为sic功率器件中的代表性器件，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。器件的栅极电荷大小直接影响器件的开关速度和开关损耗，降低栅极电荷对于提高器件工作频率进而提高电源系统的功率密度有很重要的意义。对于推进双碳目标实现有良好的效果。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种分离平面栅低阻碳化硅vdmos，降低了栅极控制反型区面积，进而降低了栅极电荷，降低了器件的驱动损耗。

2、本技术是这样实现的：一种分离平面栅低阻碳化硅vdmos，包括：

3、碳化硅衬底；

4、漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面；

5、阱区，所述阱区连接至所述漂移层，所述阱区内设有源区；

6、低阻结构层，所述低阻结构层穿过所述阱区连接至所述漂移层；

7、栅介质层，所述栅介质层连接至所述阱区以及低阻结构层，所述栅介质层上设有沟槽；</p>

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【技术保护点】

1.一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS，其特征在于，所述碳化硅衬底、漂移层、低阻结构层以及源区均为N型，所述阱区为P型。

【技术特征摘要】

1.一种分离平面栅低阻碳化硅vdmos，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种分离平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张长沙，陈彤，李昀佶，杨光锐，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：