温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面；阱区，所述阱区连接至所述漂移层，所述阱区内设有源区；低阻结构层，所述低阻结构层穿过所述阱区连接至所述漂移层；栅介质层，所...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。