晶片级接近传感器及其制造方法技术

技术编号:43900659 阅读:20 留言:0更新日期:2025-01-03 13:12
本公开涉及晶片级接近传感器及其制造方法。晶片级接近传感器是通过分别处理硅基板晶片和硅帽晶片、将帽晶片接合到基板晶片以形成接合晶片夹层、以及然后选择性地减薄硅基板晶片和硅帽晶片而形成的。首先减薄硅基板晶片,并且在减薄后的硅基板晶片内形成硅通孔的互连结构。然后减薄硅帽晶片以暴露面向减薄后的硅基板晶片的光敏区所位于区域的开口以及面向减薄后的硅基板晶片的将要安装发射器管芯的区域的开口。在安装发射器管芯之后,用透明材料填充减薄后的硅帽晶片中的开口。减薄后的硅帽晶片还包括不透明光屏障以阻挡开口之间的光透射。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般而言涉及传感器技术,并且特别地涉及晶片(wafer)级接近(诸如,例如,飞行时间(tof))传感器。


技术介绍

1、目前,电子传感器技术正融入许多消费者产品,包括汽车、电器、以及移动设备,诸如智能电话。电子微传感器可以用于检测环境状况,诸如温度、湿度、降雨量、声音等。此类设备还可以用于检测安装它们的消费者电器的操作模式,诸如智能电话的朝向、语音命令的使用、环境光等。微传感器因其尺寸、可靠性和低成本而具有许多优势。随着电子微传感器变得更小且更便宜,对它们的需求也更高。

2、电子微传感器的一个示例是接近传感器,它无需物理接触即可检测附近物体的存在。一些接近传感器发射从目标物体反射的光束。然后,反射的光束被接近传感器捕获,并与发射的光束或与环境光水平进行比较,以检测可以产生关于目标物体的信息的变化。本领域技术人员已知的这种传感器的一个具体实施方式是飞行时间(tof)传感器,它测量光束的发射与由目标反射的光束的返回之间的时间差,以计算到目标的距离。

3、现在参考图1,其示出了常规tof接近微传感器模块100的横截面图。模块100容本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中提供不透明光屏障包括用不透明材料层衬在每个第一沟槽和每个第二沟槽的侧壁和底部上。

3.如权利要求1所述的方法,其中提供不透明光屏障包括在第一沟槽和第二沟槽之间在硅帽晶片的上表面中形成沟槽,并且用不透明材料填充该沟槽以在第一沟槽和第二沟槽之间形成不透明材料块。

4.如权利要求1所述的方法,其中提供不透明光屏障包括围绕第一沟槽和第二沟槽中的每一个在硅帽晶片的上表面中形成环形沟槽,并且用不透明材料填充该环形沟槽以围绕第一沟槽和第二沟槽中的每一个形成不透明材料环。

5.根据权利要求1所述的方法,...

【技术特征摘要】

1.一种方法,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中提供不透明光屏障包括用不透明材料层衬在每个第一沟槽和每个第二沟槽的侧壁和底部上。

3.如权利要求1所述的方法,其中提供不透明光屏障包括在第一沟槽和第二沟槽之间在硅帽晶片的上表面中形成沟槽,并且用不透明材料填充该沟槽以在第一沟槽和第二沟槽之间形成不透明材料块。

4.如权利要求1所述的方法,其中提供不透明光屏障包括围绕第一沟槽和第二沟槽中的每一个在硅帽晶片的上表面中形成环形沟槽,并且用不透明材料填充该环形沟槽以围绕第一沟槽和第二沟槽中的每一个形成不透明材料环。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

6.如权利要求1所述的方法,还包括:在用透明材料填充第一沟槽和第二沟槽的开口之后,用图案化的不透明材料层覆盖减薄的硅帽晶片的上表面,所述图案化的不透明材料层包括在第一沟槽和第二沟槽的透明材料填充的开口中的每个开口上方的孔。

7.一种设备,...

【专利技术属性】
技术研发人员:E·绍吉尔
申请(专利权)人:意法半导体国际公司
类型:发明
国别省市:

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