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本公开涉及晶片级接近传感器及其制造方法。晶片级接近传感器是通过分别处理硅基板晶片和硅帽晶片、将帽晶片接合到基板晶片以形成接合晶片夹层、以及然后选择性地减薄硅基板晶片和硅帽晶片而形成的。首先减薄硅基板晶片，并且在减薄后的硅基板晶片内形成硅通孔...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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