一种生长氧化镓晶体的生长装置制造方法及图纸

本申请提供一种生长氧化镓晶体的生长装置，涉及半导体制备技术领域。该生长装置包括：加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；加热器和坩埚均为桶型结构，且坩埚放置于加热器内；加热器的侧壁的斜率小于坩埚的侧壁的斜率，且加热器的上端面的半径大于坩埚的下端面的半径；其中，加热器的侧壁的斜率为加热器的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与加热器的高度的比值，坩埚的侧壁的斜率为坩埚的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与坩埚的高度的比值。本申请能够明显减小温场的轴向温梯，有效解决氧化镓晶体开裂问题，从而提高氧化镓晶体生长的质量和效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制备，尤其涉及一种生长氧化镓晶体的生长装置。

技术介绍

1、β相氧化镓单晶是一种透明导电氧化物，拥有4.8ev的禁带宽度，穿电场强度高达8mv/cm，具有较高的耐压性能，非常适用于光电器件和高耐压器件中。氧化镓单晶的熔点较高(约为1820℃)，在高温生长过程中极易分解挥发，导致氧化镓单晶在生长过程中不稳定，温场较难控制，导致轴向温梯较大，生长出的晶体容易开裂。

技术实现思路

1、本申请提供了一种生长氧化镓晶体的生长装置，以解决现有技术中生长的氧化镓晶体易开裂的问题。

2、第一方面，本申请提供了一种生长氧化镓晶体的生长装置，所述生长装置包括加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；

3、所述加热器和所述坩埚均为桶型结构，且所述坩埚放置于所述加热器内；

4、所述加热器的侧壁的斜率小于所述坩埚的侧壁的斜率，且所述加热器的上端面的半径大于所述坩埚的下端面的半径；

5、其中，所述加热器的侧壁的斜率为所述加热器的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与所述加热器的高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述生长装置包括加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；

2.根据权利要求1所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器的纵剖面呈上小下大的梯形；

3.根据权利要求2所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器从上到下的多个横截面的半径呈线性增大；

4.根据权利要求3所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器的下端面直径与上端面直径的比值范围为1.1-4。

5.根据权利要求4所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器的下端面直径大于等于33mm，且小于等于1...

【技术特征摘要】

1.一种生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述生长装置包括加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；

2.根据权利要求1所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器的纵剖面呈上小下大的梯形；

3.根据权利要求2所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器从上到下的多个横截面的半径呈线性增大；

4.根据权利要求3所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器的下端面直径与上端面直径的比值范围为1.1-4。

5.根据权利要求4所述的生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述加热器的下端面直径大于等于33mm，且小于等于120mm。

【专利技术属性】
技术研发人员：周金杰，霍晓青，王英民，张胜男，程红娟，张嵩，董增印，李贺，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：