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本申请提供一种生长氧化镓晶体的生长装置，涉及半导体制备技术领域。该生长装置包括：加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；加热器和坩埚均为桶型结构，且坩埚放置于加热器内；加热器的侧壁的斜率小于坩埚的侧壁的斜率，且加热器的上端面的半径大于坩埚的下端面...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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