【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片质量检测，特别涉及一种检测硅单晶oisf-ring的方法。
技术介绍
1、氧化诱生层错（oisf）是硅单晶中重要的评价参数，氧化诱生层错通常呈环状分布，称为oisf-ring。氧化诱生层错的存在会使反向电流增加，影响器件性能，所以需严格把控oisf-ring的检测，防止不良品流入客户。
2、现有的，检测硅片oisf-ring缺陷的方法是将切割后的待测硅片放入1000-1200℃的湿氧气氛下热处理60-120min，使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大，再经过择优腐蚀将缺陷显露出来，但是，由于切割后的待测硅片表面状态较差，存在机械损伤，而机械损伤会覆盖硅片表面的oisf-ring，从而导致硅片表面的oisf-ring检测结果不清晰，影响检测人员的判断。
技术实现思路
1、有鉴于此，针对以上不足，有必要提出一种检测硅单晶oisf-ring的方法，以解决硅片表面的机械损损伤会覆盖硅片的oisf-ring缺陷，导致检测结果不清晰，进而影响判断的技术问题。
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【技术保护点】
1.一种检测硅单晶OISF-ring的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的检测硅单晶OISF-ring的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述过渡金属离子为铬离子或锰离子或铁离子或钴离子或镍离子或铜离子或锌离子或钯离子或银离子或铂离子或金离子。
3.根据权利要求2所述的检测硅单晶OISF-ring的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述过渡金属离子为铜离子，所述氧化诱生层错形核剂为酸铜溶液。
4.根据权利要求3所述的检测硅单晶OISF-ring的方法，其特征在于，所述氧化诱生层错形核剂中铜离子的浓度为700-100
...【技术特征摘要】
1.一种检测硅单晶oisf-ring的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的检测硅单晶oisf-ring的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述过渡金属离子为铬离子或锰离子或铁离子或钴离子或镍离子或铜离子或锌离子或钯离子或银离子或铂离子或金离子。
3.根据权利要求2所述的检测硅单晶oisf-ring的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述过渡金属离子为铜离子，所述氧化诱生层错形核剂为酸铜溶液。
4.根据权利要求3所述的检测硅单晶oisf-ring的方法，其特征在于，所述氧化诱生层错形核剂中铜离子的浓度为700-1000ppma。
5.根据权利要求1所述的检测硅单晶oisf-ring的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述预定温度为600-900℃，所述预定时间为5-10min。
6.根据权利要求1所述的检测硅单晶oisf-ring的方法，其特征在于，所述步骤3中，所述混酸溶液由氢氟酸、硝酸、醋酸和水组成，所述混酸溶液的氢氟酸、硝酸、醋酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：王若男，王黎光，黄森，芮阳，祁海滨，徐佳美，陈国喆，冉泽平，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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